Zobrazeno 1 - 10
of 145
pro vyhledávání: '"C. Yamane"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
C. Yamane
Publikováno v:
Sen'i Kikai Gakkaishi (Journal of the Textile Machinery Society of Japan). 49:P499-P503
Autor:
Masaharu Seguchi, I. Fukawa, H. Ono, C. Kusunose, Yomiko Yoshino, C. Yamane, C. Kumashiro, A. Tabara
Publikováno v:
Journal of food science. 72(2)
Breadmaking was performed with cellulose-blended wheat flour. Cellulose granules (7 types) of various sizes (diameter) were prepared by kneading. With increase of the blend percent of the cellulose samples from 10% to 20%, breadmaking properties such
Autor:
S. Kanda, Yoshiya Hagimoto, M. Saito, Yuki Miyanami, Naoki Nagashima, Toyotaka Kataoka, R. Yamamoto, T. Ohchi, Y. Tateshita, K. Nagano, J. Wang, Hayato Iwamoto, Yoshiaki Kikuchi, Masanori Tsukamoto, K. Kugimiya, Kaori Tai, Tadayuki Kimura, Takashi Ando, Hitoshi Wakabayashi, Shigeru Fujita, T. Hirano, Y. Yamamoto, C. Yamane, Y. Tagawa, S. Yamaguchi, Yoshihiko Nagahama, T. Ikuta, R. Matsumoto, Shingo Kadomura
Publikováno v:
2006 International Electron Devices Meeting.
CMOS technologies using metal/high-k damascene gate stacks with uniaxial strained silicon channels were developed. Gate electrodes of HfSix and TiN were applied to nFETs and pFETs, respectively. TiN/HfO2 damascene gate stacks and epitaxial SiGe sourc
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.