Zobrazeno 1 - 10 of 17 pro vyhledávání: '"C. Y. Belhadj"'
1
Bias circuit effects on the current‐voltage characteristic of double‐barrier tunneling structures: Experimental and theoretical results
Autor: S. Ben Amor, R. J. Higgins, E. Hempfling, J. J. L. Rascol, Kevin P. Martin, Robert C. Potter, C. Y. Belhadj, H. Hier
Publikováno v: Applied Physics Letters. 57:58-60
Using the stable, dc current‐voltage (I‐V) curve measured from a double‐barrier resonant tunneling structure, we have studied the effects of external circuit elements on device oscillations. A simulation, using the experimental I‐V and a simp
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a8e3d0500468f958b4b16e7066552370
https://doi.org/10.1063/1.103577
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Effect of the Radiation Power on the Modification of Oscillations of the Photocurrent in Single-Barrier p–i–n GaAs/AlAs/GaAs Heterostructures with InAs Quantum Dots.
Autor: Vdovin, E. E.1 (AUTHOR) vdov62@yandex.ru, Khanin, Yu. N.1 (AUTHOR)
Publikováno v: JETP Letters. May2021, Vol. 113 Issue 9, p586-591. 6p.
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
On the different physical roles of hysteresis and intrinsic oscillations in resonant tunneling structures.
Autor: Woolard, D. L., Buot, F. A., Rhodes, D. L., Lu, X. J., Lux, R. A., Perlman, B. S.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2/1/1996, Vol. 79 Issue 3, p1515, 11p, 1 Diagram, 13 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
A parametric study of extrinsic bistability in the current-voltage curves of resonant-tunneling diodes.
Autor: Jogai, B., Koenig, E. T.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 3/1/1991, Vol. 69 Issue 5, p3381, 3p, 4 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
5
Kniha
Frequency response of quantum devices from DC to infrared.
Autor: Roblin, Patrick, Rohdin, Hans
Publikováno v: High-Speed Heterostructure Devices; 2002, p221-264, 44p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
DC Characterization of Tunnel Diodes Under Stable Non-Oscillatory Circuit Conditions.
Autor: Wang, Liquan, Figueiredo, José M. L., Ironside, Charles N., Wasige, Edward
Publikováno v: IEEE Transactions on Electron Devices; 02/01/2011, Vol. 58 Issue 2, p343-347, 5p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Investigation Into the Integration of a Resonant Tunnelling Diode and an Optical Communications Laser: Model and Experiment.
Autor: Slight, Thomas J., Ironside, Charles N.
Publikováno v: IEEE Journal of Quantum Electronics; Jul2007, Vol. 43 Issue 7, p580-587, 8p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Si/SiGe Resonant Interband Tunnel Diode With fr0 20.2 GHz and Peak Current Density 218 kA/cm2 for K-Band Mixed-Signal Applications.
Autor: Sung-Yong Chung, Ronghua Yu, Niu Jin, Si-Young Park, Berger, Paul R., Thompson, Phillip E.
Publikováno v: IEEE Electron Device Letters; May2006, Vol. 27 Issue 5, p364-367, 4p, 3 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
RF Performance and Modeling of Si/SiGe Resonant Interband Tunneling Diodes.
Autor: Niu Jin, Sung-Yong Chung, Ronghua Yu, Di Giacomo, Sandro J., Berger, Paul R., Thompson, Phillip E.
Publikováno v: IEEE Transactions on Electron Devices; Oct2005, Vol. 52 Issue 10, p2129-2135, 7p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
An assessment of potential nonlinear circuit models for the characterization of resonant tunneling diodes.
Autor: Woolard, D.L., Buot, F.A., Rhodes, D.L., Xiaojia Lu, Perlman, B.S.
Publikováno v: IEEE Transactions on Electron Devices; 1996, Vol. 43 Issue 2, p332-341, 10p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje