Zobrazeno 1 - 10
of 441
pro vyhledávání: '"C. W. Ye"'
Autor:
M.-Y. Chen, Mikko J. Huttunen, G. Deka, Yen-Yin Lin, Shi-Wei Chu, H.-L. Liu, C.-W. Kan, Ming-Jenn Wu, C.-W. Ye
Publikováno v:
Optics Communications. 422:56-63
Chirality is a fundamental property of biochemical molecules and often dictates their functionality. Conventionally, molecular chirality is studied by linear optical activity effects. However, poor contrast and artifacts due to anisotropy limit such
Publikováno v:
Zhonghua zhong liu za zhi [Chinese journal of oncology]. 40(4)
Autor:
Cho, Sanghyun1 (AUTHOR), Park, SeongReol1 (AUTHOR), Kim, Hye-Lynn1 (AUTHOR), Lee, Jung-Hun2 (AUTHOR), Shin, JoongMin1 (AUTHOR), Kwon, Hyuk-Chul1 (AUTHOR) hckwon@pusan.ac.kr
Publikováno v:
Applied Artificial Intelligence. 2024, Vol. 38 Issue 1, p1-25. 25p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Yuan, Zilong1, Xu, Zhiming1, Li, He1,2, Cheng, Xinle1, Tao, Honggeng1, Tang, Zechen1, Zhou, Zhiyuan1,3, Duan, Wenhui1,2,4 duanw@tsinghua.edu.cn, Xu, Yong1,4,5 yongxu@mail.tsinghua.edu.cn
Publikováno v:
Quantum Frontiers. 4/22/2024, Vol. 3 Issue 1, p1-10. 10p.
Autor:
Huang, Ranran1 (AUTHOR), Wang, Aijie1 (AUTHOR), Zhang, Yafei1 (AUTHOR), Li, Guochao1 (AUTHOR), Lin, Yi1 (AUTHOR), Ba, Xinru1 (AUTHOR), Bao, Xianghua2 (AUTHOR), Li, Yunxin1 (AUTHOR), Zhang, Guowei1 (AUTHOR) zhanggw0535@163.com
Publikováno v:
Brain & Behavior. Apr2024, Vol. 14 Issue 4, p1-16. 16p.
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. 20:483
It has been noticed that for ultrashallow ion implanted dopant profiles, the metallurgical junction is not at the same location as the peak of the spreading resistance profile, i.e., the on-bevel junction. This can be attributed to the carrier redist