Zobrazeno 1 - 10
of 67
pro vyhledávání: '"C. W. Moon"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Y. S. Choi, B. H. Hong, S.-P. Hong, T. Kim, S. Y. Park, D. Lee, H. W. Jang, J.-H. Lee, Y. Kim, C. W. Moon
Publikováno v:
Proceedings IMCS 2018.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8289af996e109025ea67297d96a48fe0
https://doi.org/10.5162/imcs2018/p2gs.7
https://doi.org/10.5162/imcs2018/p2gs.7
Autor:
Daewon Ha, C. Yang, J. Lee, S. Lee, S. H. Lee, K.-I. Seo, H. S. Oh, E. C. Hwang, S. W. Do, S. C. Park, M.-C. Sun, D. H. Kim, J. H. Lee, M. I. Kang, S.-S. Ha, D. Y. Choi, H. Jun, H. J. Shin, Y. J. Kim, C. W. Moon, Y. W. Cho, S. H. Park, Y. Son, J. Y. Park, B. C. Lee, C. Kim, Y. M. Oh, J. S. Park, S. S. Kim, M. C. Kim, K. H. Hwang, S. W. Nam, S. Maeda, D.-W. Kim, J.-H. Lee, M. S. Liang, E. S. Jung
Publikováno v:
2017 Symposium on VLSI Technology.
7nm CMOS FinFET technology featuring EUV lithography, 4th gen. dual Fin and 2nd gen. multi-eWF gate stack is presented, providing 20% faster speed or consuming 35% less total power over 10nm technology [1]. EUV lithography, fully applied to MOL conta
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b79e91f77f8eed94a126bb0cf3373e0f
https://doi.org/10.23919/vlsit.2017.7998202
https://doi.org/10.23919/vlsit.2017.7998202
Autor:
Jee H. Jung, Yohan Shin, S.-U. Heo, C.-W. Moon, Do Hyung Lee, Sung-Kwang Park, Ye-Ji Heo, Jung Yeon Kim, Heunglae Cho, Kyung-Min Oh, Moo-Jae Han, Kiwhan Kim
Publikováno v:
Journal of Instrumentation. 14:C02011-C02011
In the application of radiotherapy to the skin, the need for ensuring the accuracy of surface dose measurements has attracted increasing attention because dose accumulation and inaccurate skin registration during irradiation can compromise patient sa
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::56242135a8bfd7b6fe4fcafa42d2fb44
https://doi.org/10.1088/1748-0221/14/02/c02011
https://doi.org/10.1088/1748-0221/14/02/c02011