Zobrazeno 1 - 10
of 33
pro vyhledávání: '"C. Toechterle"'
Publikováno v:
2016 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD).
Current filaments are inherently three-dimensional phenomena regardless of the chip topography, which can be stripe-or checkerboard-shaped. Therefore, we consider an alter-native mapping of the real-chip IGBT cell topography to a quasi-3D simulation
Publikováno v:
2014 IEEE 26th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD).
An improved understanding of the physical processes leading to the formation of current filaments and latch-up in large arrays of monolithically integrated high voltage (3.3kV) trench-IGBT cells during the turn-off process of the device is the prereq
Publikováno v:
2013 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD).
We present a theoretical analysis of the formation of current filaments leading to the latch-up state that can occur during the turn-off process in a cell array of high-voltage (3.3 kV) trench insulated-gate bipolar transistors (trench IGBTs). Our in
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Lamprecht, Andrea, Pauli, Harald, Fernández Calzado, Maria Rosa, Lorite, Juan, Molero Mesa, Joaquín, Steinbauer, Klaus, Winkler, Manuela
Publikováno v:
Alpine Botany; Apr2021, Vol. 131 Issue 1, p27-39, 13p
Autor:
Brown, Iain
Publikováno v:
International Journal of Climatology; Oct2019, Vol. 39 Issue 12, p4611-4626, 16p
Publikováno v:
Frontiers in Microbiology; 7/9/2019, p1-21, 21p
Autor:
Chakraborty, Abhik
Publikováno v:
GeoJournal; Apr2019, Vol. 84 Issue 2, p415-435, 21p