Zobrazeno 1 - 10
of 19
pro vyhledávání: '"C. Scozzari"'
Autor:
N. Galbiati, Mauro Alessandri, E. Mascellino, Paolo Tessariol, R. Piagge, E. Moltrasio, A. Sebastiani, C. Scozzari, I. Baldi, A. Del Vitto, G. Ghidini, P. Comite
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 88:1182-1185
The aim of this work is to investigate the physical mechanisms behind the write/erase and retention performances of band gap engineering (BE) layers used as tunnel oxide in charge trap memory stack. The investigation of the BE layers alone will be co
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a16cd423c9b628498c3f6af0fd4d5192
https://doi.org/10.1016/j.mee.2011.03.072
https://doi.org/10.1016/j.mee.2011.03.072
Autor:
Roberta Bottini, Sonia Costantini, A. Sebastiani, Nadia Galbiati, Gabriella Ghidini, A. Mauri, A. Ghetti, C. Scozzari
Publikováno v:
Microelectronics Reliability. 47:1384-1388
Aim of this work is to investigate the degradation of n-MOS transistor when stressed at high fields, typical operating condition when used as a pump in non-volatile memory (NVM) application. It is possible to understand where the main degradation occ
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2809daae1222b767b543787ff64ba3d1
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2007.07.050
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2007.07.050
Autor:
G. Ghidini, N. Galbiati, E. Mascellino, C. Scozzari, A. Sebastiani, S. Amoroso, C. Monzio Compagnoni, A. Sottocornola Spinelli, A. Maconi, R. Piagge, A. Del Vitto, M. Alessandri, I. Baldi, E. Moltrasio, G. Albini, A. Grossi, P. Tessariol, E. Camerlen
Publikováno v:
29 (2011).
info:cnr-pdr/source/autori:G. Ghidini, N. Galbiati, E. Mascellino, C. Scozzari, A. Sebastiani, S. Amoroso, C. Monzio Compagnoni, A. Sottocornola Spinelli, A. Maconi, R. Piagge, A. Del Vitto, M. Alessandri, I. Baldi, E. Moltrasio, G. Albini, A. Grossi, P. Tessariol, E. Camerlen/titolo:Charge retention phenomena in charge transfer silicon nitride: impact of technology and operating conditions/doi:/rivista:/anno:2011/pagina_da:/pagina_a:/intervallo_pagine:/volume:29
info:cnr-pdr/source/autori:G. Ghidini, N. Galbiati, E. Mascellino, C. Scozzari, A. Sebastiani, S. Amoroso, C. Monzio Compagnoni, A. Sottocornola Spinelli, A. Maconi, R. Piagge, A. Del Vitto, M. Alessandri, I. Baldi, E. Moltrasio, G. Albini, A. Grossi, P. Tessariol, E. Camerlen/titolo:Charge retention phenomena in charge transfer silicon nitride: impact of technology and operating conditions/doi:/rivista:/anno:2011/pagina_da:/pagina_a:/intervallo_pagine:/volume:29
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=cnr_________::59b965cda20fafea81e6afaea17e1f4d
https://publications.cnr.it/doc/25712
https://publications.cnr.it/doc/25712
Autor:
C. Scozzari, G. Albini, M. Alessandri, S. Amoroso, P. Bacciaglia, A. Del Vitto, G. Ghidini, A. Grossi, A. Mauri, A. Modelli, R. Piagge, A. Sebastiani, P. Tessariol
Publikováno v:
2008 9th International Conference on Ultimate Integration of Silicon.
Aim of this work is the study the crystallization treatment of Alumina used as blocking oxide in Charge Trap memories. We have found that thermal treatment before gate deposition is able to crystallize Alumina giving better erase and write efficiency
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9756b26a8c5a6bf8932764d14c0cc02d
https://doi.org/10.1109/ulis.2008.4527171
https://doi.org/10.1109/ulis.2008.4527171
Autor:
A. Ghetti, D. Brazzelli, M. Brambilla, Nadia Galbiati, A. Mauri, Roberta Bottini, A. Sebastiani, Gabriella Ghidini, C. Scozzari
Publikováno v:
2007 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings. 45th Annual.
Aim of this work is to study the reliability of the dielectric between cell control gate and drain contact. Conduction characteristics and reliability under high field stress are investigated. The large spread in this dielectric thickness because of
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::064cc25366382a0da50124e13bbd030b
https://doi.org/10.1109/relphy.2007.369960
https://doi.org/10.1109/relphy.2007.369960
Publikováno v:
2006 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report.
Aim of this work is to propose a new fast methodology to be applied to thick gate and tunnel oxides in Flash and embedded Flash processes. Starting from the reliability characterization of the dielectric it is possible to define a very short stress (
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::21657c64ec40326254193d057ce8a15c
https://doi.org/10.1109/irws.2006.305230
https://doi.org/10.1109/irws.2006.305230
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.