Výsledky vyhledávání - "C. Schlockermann"

(GeTe) x -(Sb2 Te3 )1-x phase-change thin films as potential thermoelectric materials

Autor: C. Schlockermann, Peter Jost, Ernst-Roland Sittner, Felix R. L. Lange, Karl Simon Siegert, Matthias Wuttig

Publikováno v: physica status solidi (a). 210:147-152

Phase-change materials form a unique material class, characterized by a rather unusual combination of physical properties. Exhibiting fast crystallization and a large contrast in optical reflectivity and electrical conductivity between the amorphous

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::aeb0b6ee44c170b337a38639ecaa1864
https://doi.org/10.1002/pssa.201228397

Zobrazit plný text záznamu

Impact of DoS changes on resistance drift and threshold switching in amorphous phase change materials

Autor: Rüdiger Schmidt, Daniel Krebs, Gunnar Bruns, Reinhard Carius, C. Schlockermann, Josef Klomfaβ, Jennifer Luckas, Martin Salinga, Matthias Wuttig

Publikováno v: Journal of Non-Crystalline Solids. 358:2412-2415

Phase change materials are probably the most promising candidates to be used in the upcoming generation of memory technologies. One of the main challenges for applications is the resistance increase over time occurring in the amorphous state called r

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f079024689dfff1187fdeb5f278e3195
https://doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2011.12.112

Zobrazit plný text záznamu

Disorder-induced localization in crystalline phase-change materials

Autor: Hanno Volker, Peter Jost, Matthias Wuttig, C. Schlockermann, Michael Woda, P. Merkelbach, Theo Siegrist

Publikováno v: Nature materials. 10(3)

Localization of charge carriers in crystalline solids has been the subject of numerous investigations over more than half a century. Materials that show a metal-insulator transition without a structural change are therefore of interest. Mechanisms le

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::9bcee4d2421c549ef28533194db9bffe
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/21336294

Zobrazit plný text záznamu

Impact of vacancy ordering on thermal transport in crystalline phase-change materials

Autor: C. Schlockermann, Ernst-Roland Sittner, Theo Siegrist, Karl Simon Siegert, Felix R. L. Lange, Matthias Wuttig, Hanno Volker

Publikováno v: Reports on Progress in Physics. 78:013001

Controlling thermal transport in solids is of paramount importance for many applications. Often thermal management is crucial for a device's performance, as it affects both reliability and power consumption. A number of intricate concepts have been d

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::16c810a236f6cfcdd18ec33d1a9a923c
https://doi.org/10.1088/0034-4885/78/1/013001

Zobrazit plný text záznamu

Nanosecond switching in GeTe phase change memory cells

Autor: Michael Kund, Matthias Wuttig, P. Merkelbach, Gunnar Bruns, Martin Salinga, Jan Boris Philipp, Thomas Happ, C. Schlockermann

Publikováno v: Applied Physics Letters. 95:043108

The electrical switching behavior of GeTe-based phase change memory devices is characterized by time resolved experiments. SET pulses with a duration of less than 16 ns are shown to crystallize the material. Depending on the resistance of the RESET s

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::753db05b9b7d8e8a6ee94aa98de9322e
https://doi.org/10.1063/1.3191670

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Kniha

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání