Zobrazeno 1 - 10
of 97
pro vyhledávání: '"C. Sartel"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Abdallah Ougazzaden, C. Sartel, Simon Gautier, Nabila Maloufi, Jérôme Martin, François Jomard
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 298:316-319
BGaN materials with good structural quality and surface morphology have been successfully grown on GaN template substrates by low pressure metal organic vapour phase epitaxy. TEB and NH3 were used as precursors of boron and nitrogen, respectively. Al
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f6b0d5d9d7e17974ec1e7ccf4db121b9
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2006.10.072
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2006.10.072
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 298:428-432
Thin films of GaN were grown on template substrates of 4-μm-thick GaN layers on sapphire substrates by low-pressure metal organic vapour-phase epitaxy (LP-MOVPE) in a new-design reactor with the shape T. Wide range of growth temperature from 520 to
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0f254ef372d10261cfd8b6629e3356c4
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2006.10.064
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2006.10.064
Publikováno v:
Materials Science Forum. :121-124
We report on the study of the p-type doping of 4H-SiC material using HexaMethylDiSilane/TriMethylAluminium/Propane (HMDS/TMA/P) system in place of the usual Silane/TriMethylAluminium/Propane (S/TMA/P) precursors. The influence of growth parameters su
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c788a0a4c3a836a1ed3cabe73c840717
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.483-485.121
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.483-485.121
Autor:
Marcin Zielinski, Sylvie Contreras, Yves Monteil, Caroline Blanc, Veronique Soulière, Jean Camassel, Sandrine Juillaguet, C. Sartel
Publikováno v:
Materials Science Forum. :117-120
We report an experimental investigation of the residual (n-type) and intentional (p-type) doping level of epitaxial layers grown on a-cut 4H-SiC substrates. Using SIMS, C(V) measurements, low temperature photoluminescence and Hall effect investigatio
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ced240bf5a2521a72e180aed6fe9b9a9
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.483-485.117
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.483-485.117