Výsledky vyhledávání

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Application of LTPL Investigation Methods to CVD-Grown SiCWe greatly thank B. Boyer from University Montpellier 2 for expert assistance with the SIMS measurements. We also thank C. Sartel, V. Soulière, and Y. Monteil from Laboratoire des Multimatériaux et Interfaces in Lyon for providing numerous 4H-SiC samples. We thank D. Chaussende, M. Pons, and R. Madar from Institut National Polytechnique in Grenoble for the gift of the CF-PVT sample. Finally, we thank all members of the European Projects SOLSIC and FLASiC Consortia, specially Prof. Y. Stoemenos from Tessaloniki, G. Ferro from LMI (Lyon), T. Chassagne and A. Leycuras from CRHEA (Valbonne), L. Di Cioccio and P. Ferret from LETI/CEA (Grenoble) as well as A. Schöner from Acreo and A. Henry from Linköping University (Sweden) for continuous discussions and collaboration. We will not forget to thank the European Community for financial support through contracts SOLSIC (G5RD-CT-2001-00563) and FLASIC (G5RD-CT2002-00704).

Autor: J. Camassel, S. Juillaguet, M. Zielinski, C. Balloud

Publikováno v: Chemical Vapor Deposition; Sep2006, Vol. 12 Issue 8/9, p549-556, 8p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

BGaN materials on GaN/sapphire substrate by MOVPE using N2 carrier gas

Autor: Abdallah Ougazzaden, C. Sartel, Simon Gautier, Nabila Maloufi, Jérôme Martin, François Jomard

Publikováno v: Journal of Crystal Growth. 298:316-319

BGaN materials with good structural quality and surface morphology have been successfully grown on GaN template substrates by low pressure metal organic vapour phase epitaxy. TEB and NH3 were used as precursors of boron and nitrogen, respectively. Al

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f6b0d5d9d7e17974ec1e7ccf4db121b9
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2006.10.072

Zobrazit plný text záznamu

GaN materials growth by MOVPE in a new-design reactor using DMHy and NH3

Autor: C. Sartel, Abdallah Ougazzaden, Andrei Sirenko, S. Ould-Saad, Jérôme Martin, Simon Gautier

Publikováno v: Journal of Crystal Growth. 298:428-432

Thin films of GaN were grown on template substrates of 4-μm-thick GaN layers on sapphire substrates by low-pressure metal organic vapour-phase epitaxy (LP-MOVPE) in a new-design reactor with the shape T. Wide range of growth temperature from 520 to

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0f254ef372d10261cfd8b6629e3356c4
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2006.10.064

Zobrazit plný text záznamu

Aluminium Doping of 4H-SiC Grown with HexaMethylDiSilane

Autor: Jean Camassel, Yves Monteil, C. Sartel, Marcin Zielinski, Veronique Soulière, S. Rushworth

Publikováno v: Materials Science Forum. :121-124

We report on the study of the p-type doping of 4H-SiC material using HexaMethylDiSilane/TriMethylAluminium/Propane (HMDS/TMA/P) system in place of the usual Silane/TriMethylAluminium/Propane (S/TMA/P) precursors. The influence of growth parameters su

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c788a0a4c3a836a1ed3cabe73c840717
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.483-485.121

Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání