Zobrazeno 1 - 9
of 9
pro vyhledávání: '"C. Rampley"'
Autor:
C. Rampley, K. Kim, D. Hill, P. Renaud, K. Moore, J. Wan, C. Gaw, S. Klingbeil, R. Embar, Peter Rashev, T. Arnold, B. Green, C. Zhu, Mir Masood, F. Vanaverbeke, J. Finder, D. Burdeaux
Publikováno v:
BCICTS
Gallium nitride (GaN) heterostructure field effect transistor (HFET) technology is rapidly becoming the solution of choice for a variety of infrastructure applications for 4G and beyond. In response to this rapidly increasing demand, NXP has develope
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2227acfaea8a7a0e3f1625a6a4f9a06b
https://doi.org/10.1109/bcicts48439.2020.9392951
https://doi.org/10.1109/bcicts48439.2020.9392951
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
P. Savary, G. Montoriol, F. Clayton, B. Thibaud, V. Esnault, E. Yu, M. Tutt, A. Mitra, D. Hill, A. Girardot, R. Uscola, A. Reyes, K. Rajagopalan, L. Cornibert, H. Henry, C. Rampley, M. Majerus, F. Dupis, Mariam G. Sadaka, S. Klingbeil, O. Izumi, L. Chapoux, R. Jaoui
Publikováno v:
GaAs IC Symposium. IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium. 23rd Annual Technical Digest 2001 (Cat. No.01CH37191).
A heterojunction bipolar transistor (HBT) technology utilizing InGaP/GaAs and carbon-doped base has been established in Motorola's high-volume 6" GaAs facility. The technology has been used to develop an integrated dual band (824-849 MHz and 1850-191
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0c61013b6e1f774edb45fff3762a853a
https://doi.org/10.1109/gaas.2001.964349
https://doi.org/10.1109/gaas.2001.964349
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Lester C. Rampley
Publikováno v:
Review & Expositor. 65:151-160
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e258fab4d5e2220bc14c009bf721ae6f
https://doi.org/10.1177/003463736806500203
https://doi.org/10.1177/003463736806500203
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.