Zobrazeno 1 - 10
of 241
pro vyhledávání: '"C. Rampley"'
Autor:
C. Rampley, K. Kim, D. Hill, P. Renaud, K. Moore, J. Wan, C. Gaw, S. Klingbeil, R. Embar, Peter Rashev, T. Arnold, B. Green, C. Zhu, Mir Masood, F. Vanaverbeke, J. Finder, D. Burdeaux
Publikováno v:
BCICTS
Gallium nitride (GaN) heterostructure field effect transistor (HFET) technology is rapidly becoming the solution of choice for a variety of infrastructure applications for 4G and beyond. In response to this rapidly increasing demand, NXP has develope
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2227acfaea8a7a0e3f1625a6a4f9a06b
https://doi.org/10.1109/bcicts48439.2020.9392951
https://doi.org/10.1109/bcicts48439.2020.9392951
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
BioResources. 2024, Vol. 19 Issue 3, p6605-6620. 16p.
Autor:
P. Savary, G. Montoriol, F. Clayton, B. Thibaud, V. Esnault, E. Yu, M. Tutt, A. Mitra, D. Hill, A. Girardot, R. Uscola, A. Reyes, K. Rajagopalan, L. Cornibert, H. Henry, C. Rampley, M. Majerus, F. Dupis, Mariam G. Sadaka, S. Klingbeil, O. Izumi, L. Chapoux, R. Jaoui
Publikováno v:
GaAs IC Symposium. IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium. 23rd Annual Technical Digest 2001 (Cat. No.01CH37191).
A heterojunction bipolar transistor (HBT) technology utilizing InGaP/GaAs and carbon-doped base has been established in Motorola's high-volume 6" GaAs facility. The technology has been used to develop an integrated dual band (824-849 MHz and 1850-191
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0c61013b6e1f774edb45fff3762a853a
https://doi.org/10.1109/gaas.2001.964349
https://doi.org/10.1109/gaas.2001.964349
Autor:
Curasi, Salvatore R.1,2 (AUTHOR) sal.curasi@ec.gc.ca, Melton, Joe R.2 (AUTHOR), Humphreys, Elyn R.1 (AUTHOR), Hermosilla, Txomin3 (AUTHOR), Wulder, Michael A.3 (AUTHOR)
Publikováno v:
Geoscientific Model Development. 2024, Vol. 17 Issue 7, p2683-2704. 22p.
Modeling wood product carbon flows in southern us pine plantations: implications for carbon storage.
Autor:
Puls, Sarah J.1 (AUTHOR) sjpuls@ncsu.edu, Cook, Rachel L.1 (AUTHOR), Baker, Justin S.1 (AUTHOR), Rakestraw, James L.2 (AUTHOR), Trlica, Andrew1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Carbon Balance & Management. 2/21/2024, Vol. 19 Issue 1, p1-21. 21p.
Autor:
Li, Xinyu1,2,3 (AUTHOR) lixinyu@hfut.edu.cn, Zhang, Yuanhao1,2,3 (AUTHOR), Liao, Yumin1,2,3 (AUTHOR), Yu, Guanghai1,2,3 (AUTHOR)
Publikováno v:
Scientific Reports. 1/31/2024, Vol. 14 Issue 1, p1-13. 13p.
Publikováno v:
Daily Mail. 12/4/2024, p50. 1p.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.