Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"C. Rajarajachozhan"'
Publikováno v:
Silicon. 15:3049-3062
Publikováno v:
International Journal of Electronics. 105:1945-1961
A generalized high frequency analytical model of nanoscale Semiconductor-On-Insulator (SOI) MOS structure, valid for different competitive nanoscale SOI MOS structures is developed. Interface roughness and trap-charge effects are incorporated in addi
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.