Zobrazeno 1 - 10
of 200
pro vyhledávání: '"C. R. Cho"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
H. G. Kim, Tae Eun Hong, K. T. Lim, H. J. Kim, Y. J. Lee, C. R. Cho, Pramod H. Borse, J. S. Bae, Euh Duck Jeong
Publikováno v:
Journal of the Korean Physical Society. 58:1672-1676
Orthorhombic phase BaFe2O4 powder was synthesized by using a solid state reaction method and investigated for its visible light photocatalytic properties. The crystallization of the structural phase was found to occur at a temperature above 1000 ◦C
Autor:
Su-Young Cha, C. R. Cho, Se-Young Jeong, Su Jae Kim, Jongmoon Shin, Seung-Hun Lee, Won-Kyung Kim, Yong Chan Cho, Hyun Jun Lee
Publikováno v:
New Physics: Sae Mulli. 60:1231-1246
Autor:
S. W. Kim, D. W. Jo, H. S. Jeon, A. R. Lee, G. S. Lee, M. Yang, K. H. Kim, E. J. Kim, H. S. Ahn, J. E. Ok, H. Ha, C. R. Cho, S. N. Yi
Publikováno v:
New Physics: Sae Mulli. 60:511-516
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Current Applied Physics. 9:528-533
Dense and well-crystallized TiO 2 and fluoridated hydroxyapatite (FHAp) films with TiO 2 as a buffer layer were deposited on Ti substrates using a sol–gel spin-coating technique. X-ray diffraction showed a positive correlation between the level of
Publikováno v:
Integrated Ferroelectrics. 94:11-20
In this report, plasma-enhanced atomic layer deposition (PEALD) technique was used to deposit dielectric Ga2O3 thin films at various temperatures (50, 150, and 250°C) on p-type Si (100) and quartz substrates with an alternating supply of reactant so
Publikováno v:
Journal of nanoscience and nanotechnology. 15(3)
Ultra-thin ZrOx thin films on Si substrates were prepared by sol-gel technique and processed with different methods (baked on hot plate at 150 °C, annealed at 500 °C in furnace, and photo-annealed under UV light). The decomposition of the organic g