Zobrazeno 1 - 10
of 100
pro vyhledávání: '"C. Papadas"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 18:319-322
The purpose of this paper is to present a novel Pseudo-Floating-Gate Flash EEPROM cell which has certain advantages over the classical structure and, therefore, it seems adequate for multi-MBit memory arrays as well as for CMOS embedded memory applic
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c659b633e68ac8e2d1acfc6f8c0a31b8
https://doi.org/10.1109/55.596924
https://doi.org/10.1109/55.596924
Autor:
T. Nikolaidis, C. Papadas
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 22:185-187
A novel SCR structure for on-chip ESD protection implemented with a deep submicron triple well CMOS technology is presented. The triple well technology offers the possibility of biasing the p-well, on which the structure is built, under transient ESD
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6507c8cf3d82531777726f26a36fd301
https://doi.org/10.1109/55.915608
https://doi.org/10.1109/55.915608
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 19:269-272
The reliability properties of RTP nitrided oxides in N 2 O ambient are investigated and compared with those of reference oxides after Fowler-Nordheim stress. The high quality of the oxinitride layers emphasizes the suitability of this material as an
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::45de5e298cdaff3a2fb95bbe93929164
https://doi.org/10.1016/0167-9317(92)90436-u
https://doi.org/10.1016/0167-9317(92)90436-u
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 34:1375-1379
An analysis of the trapping characteristics of silicon dioxide (SiO2) subjected to Fowler-Nordheim degradation is presented. Based on the Fowler-Nordheim threshold and flat-band voltage shifts, the total charge trapped in the oxide (Qox) and the cent
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1e8096fd0fb6e3e71c89e7312e220af8
https://doi.org/10.1016/0038-1101(91)90032-t
https://doi.org/10.1016/0038-1101(91)90032-t
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 15:621-624
A theoretical model explaining the programming window degradation as a function of the number of Write/Erase cycles in FLOTOX EEPROM cells is proposed. The collapsing of the programming window is quantitatively related to the oxide charge build-up in
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1fddaff46a5b3b2d94f96ecb6e354d64
https://doi.org/10.1016/0167-9317(91)90296-p
https://doi.org/10.1016/0167-9317(91)90296-p
Publikováno v:
2007 3DTV Conference.
Advances in building high-performance camera arrays have opened the opportunity - and challenge - of using these devices for synchronized 3D and multi-viewpoint capture. A requirement of using camera arrays for metric work is that their relative pose
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f90728f450c85bc7baf6b5a81f420f28
https://doi.org/10.1109/3dtv.2007.4379450
https://doi.org/10.1109/3dtv.2007.4379450