Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"C. Oules"'
Publikováno v:
Journal of The Electrochemical Society. 139:3595-3599
Epitaxial silicon films are obtained by low temperature chemical vapor deposition on porous silicon layers (PSL). The PSL are formed on lightly and highly boron doped silicon substrates. In the case of lightly doped substrates, the epitaxial films ex
Autor:
F. Muller, R. Hérino, F. Gaspard, C. Oules, A. Halimaoui, G. Bomchil, M. Ligeon, Ahmad Bsiesy
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 59:304-306
Porous silicon/silicon structures under anodic oxidation conditions give rise to an electroluminescence phenomenon in the visible range. Using an optical multichannel analyzer the spectral distribution of the emitted light was measured−in situ−du
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.