Zobrazeno 1 - 10
of 302
pro vyhledávání: '"C. Nave"'
Autor:
H. Pereira, C. Nave
Publikováno v:
European Psychiatry, Vol 64, Pp S550-S550 (2021)
Introduction The concept of Sensory Processing Sensitivity (SPS) was initially introduced by Aron in 1997 and involves complex processing of sensorial information and internal and external sensory stimuli, that is represented as an individual innate
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/610cf3aff0c74fd1a61f2b4f4a353939
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
The Journal of Physical Chemistry A. 123:10030-10039
Silane (SiH4) plasmas are widely used for the deposition of hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) films. Nevertheless, the chemical processes governing film deposition are still incompletely understood. Moreover, there is still no general method av
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fd0145fce5e968841426781b88ae52c8
https://doi.org/10.1021/acs.jpca.9b06351
https://doi.org/10.1021/acs.jpca.9b06351
Reduced model for capillary breakup with thermal gradients: Predictions and computational validation
It was recently demonstrated that feeding a silicon-in-silica coaxial fiber into a flame-imparting a steep silica viscosity gradient-results in the formation of silicon spheres whose size is controlled by the feed speed [Gumennik et al., "Silicon-in-
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::a42cc4e39f85df8d143a98bc5825448f
http://arxiv.org/abs/2104.11671
http://arxiv.org/abs/2104.11671
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Jürgen Röpcke, J. H. van Helden, A S C Nave, Guillaume Lombardi, Fabien Bénédic, S. Hamann, Jocelyn Achard, B Baudrillart
Publikováno v:
Diamond and Related Materials. 71:53-62
The growth process of nanocrystalline diamond (NCD) films has been investigated and compared in two different types of microwave plasma reactors. One process occurs at high substrate temperature (1170 K) and moderate pressure (few hundreds hPa) in a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d74d57d4d188cd54ff341864bc3f4cae
https://doi.org/10.1016/j.diamond.2016.11.018
https://doi.org/10.1016/j.diamond.2016.11.018