Zobrazeno 1 - 10
of 113
pro vyhledávání: '"C. Monzio Compagnoni"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
G. Malavena, J. L. Mazzola, M. Greatti, C. Monzio Compagnoni, A. L. Lacaita, V. Marano, M. Lauria, D. Paci, F. Speroni, A. S. Spinelli
Publikováno v:
2022 IEEE Latin American Electron Devices Conference (LAEDC).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7bf2ed134f0def92bb0e0d56c2bf2316
https://doi.org/10.1109/laedc54796.2022.9908226
https://doi.org/10.1109/laedc54796.2022.9908226
Autor:
C. Groppi, F. Maspero, A. Rovelli, M. Asa, G. Malavena, C. Monzio Compagnoni, E. Albisetti, S. Vangelista, M.A. Badillo-Ávila, R. Bertacco
Publikováno v:
Materials Science in Semiconductor Processing. 160:107422
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8155ecc34a028620fd915a1617a19d2b
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2023.107422
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2023.107422
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 132:074502
In this paper, we report a comprehensive modeling investigation of the Pt/[Formula: see text]/Nb:[Formula: see text] stack designed to operate as a Ferroelectric Tunnel Junction (FTJ). The analysis accounts for some specific features of the materials
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::694ba8d06d0459c8369b9202ce56e767
https://doi.org/10.1063/5.0100460
https://doi.org/10.1063/5.0100460
Publikováno v:
Noise in Nanoscale Semiconductor Devices ISBN: 9783030374990
Random telegraph noise (RTN) has been long debated in many theoretical and experimental studies. Its detrimental effect on the reliability of semiconductor devices is well documented. In particular its effect is exasperated in advanced nano-scale dev
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::e80124840f059995d0c4a58282d6a69a
http://hdl.handle.net/11311/1138395
http://hdl.handle.net/11311/1138395
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
ESSDERC
In this work, we investigate the impact of program accuracy and of the time instabilities in cell threshold-voltage (V T ) arising from random telegraph noise (RTN) on the performance of a neuromorphic digit classifier exploiting NOR Flash arrays as
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::12b73aaef11b0d75a5f3d1b05d64987d
https://doi.org/10.1109/essderc.2019.8901751
https://doi.org/10.1109/essderc.2019.8901751
Publikováno v:
ESSDERC
In this work, we compare different modeling approaches typically adopted to address current transport in polysilicon-channel MOSFETs. The analysis is focused on cylindrical gate-all-around devices with deca-nanometer dimension, due to the strong rele
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::804073f16c70d6c4ef134eafc98343fc
https://doi.org/10.1109/essderc.2019.8901786
https://doi.org/10.1109/essderc.2019.8901786