Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"C. Lockhart de la Rosa"'
Autor:
L. Panarella, B. Kaczer, Q. Smets, D. Verreck, T. Schram, D. Cott, D. Lin, S. Tyaginov, I. Asselberghs, C. Lockhart de la Rosa, G. S. Kar, V. Afanas'ev
Publikováno v:
2023 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::decdeee84a7c5ca253289691124cc65a
https://doi.org/10.1109/irps48203.2023.10117803
https://doi.org/10.1109/irps48203.2023.10117803
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
M. Rosmeulen, C. Lockhart de la Rosa, K. Willems, S. Fransen, B.-Y. Shih, D. Verreck, V. Kalangi, F. Yasin, H. Philipsen, Y. T. Set, N. Ronchi, W. Van Roy, O. Y. F. Henry, A. Arreghini, G. Van den bosch, A. Furnemont
Publikováno v:
2022 IEEE International Memory Workshop (IMW).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::cc094e59ba971d9e2551ac36ddac4552
https://doi.org/10.1109/imw52921.2022.9779295
https://doi.org/10.1109/imw52921.2022.9779295
Autor:
Matty Caymax, D. Chiappe, C. Lockhart de la Rosa, Daniil Marinov, Daire J. Cott, Surajit Sutar, Abhinav Gaur, Jonathan Ludwig, Iuliana Radu, Steven Brems, Cedric Huyghebaert, Quentin Smets, Tom Schram, Geoffrey Pourtois, Alain Phommahaxay, Inge Asselberghs, D. Lin, T. Kumar Agarwal, Alessandra Leonhardt, S. El Kazzi, Devin Verreck, Goutham Arutchelvan
Publikováno v:
2018 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
To keep Moore's law alive, 2D materials are considered as a replacement for Si in advanced nodes due to their atomic thickness, which offers superior performance at nm dimensions. In addition, 2D materials are natural candidates for monolithic integr
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::19439e2934626f1f9fbd2d7cf000e0b8
https://doi.org/10.1109/iedm.2018.8614679
https://doi.org/10.1109/iedm.2018.8614679
Autor:
Cedric Huyghebaert, S. De Gendt, Vivek Mootheri, Stefanie Sergeant, C. Lockhart de la Rosa, Alessandra Leonhardt, Thomas Nuytten
Publikováno v:
ECS Journal of Solid State Science and Technology. 9:093016
Material or interface defectivity assessment of 2D materials remains a challenge, specifically in terms of simple techniques which can be integrated in a CMOS process line. Here we demonstrate an optical technique that assesses interface trap densiti
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::4021ab22af98e339a901e6a5514ba3c2
https://doi.org/10.1149/2162-8777/abc3d0
https://doi.org/10.1149/2162-8777/abc3d0
Autor:
M.M. Heyns, Surajit Sutar, Iuliana Radu, C. Lockhart de la Rosa, Philippe Matagne, Goutham Arutchelvan, S. De Gendt
Publikováno v:
2017 IEEE International Interconnect Technology Conference (IITC).
We report for the first time a TCAD investigation on the spatial distribution of carrier injection at MoS 2 contacts. The proposed semi-classical approach successfully captures the experimentally observed contact behavior. Using the model, we identif
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::32eb5e629a5deef3c355acf8f64a28d2
https://doi.org/10.1109/iitc-amc.2017.7968951
https://doi.org/10.1109/iitc-amc.2017.7968951
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.