Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"C. Kaneshige"'
Autor:
Rajesh Khamankar, Joe G. Tran, P.E. Nicollian, Anand T. Krishnan, Melissa M. Hewson, S. Aur, Mark Somervell, James Walter Blatchford, Tad Grider, Lindsey H. Hall, Brian K. Kirkpatrick, D. Farber, Srinivasan Chakravarthi, Benjamen Michael Rathsack, H. Bu, Brian Hornung, Juanita Deloach, Brian A. Smith, Jiong-Ping Lu, C. Kaneshige, April Gurba, C. Bowen, C. Machala, Donald S. Miles, Husam N. Alshareef, M. J. Bevan, P.R. Chidambaram, Vladimir A. Ukraintsev, Ajith Varghese, Hiroaki Niimi
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
In this abstract we present a highly manufacturable, high performance 90nm technology with best in class performance for 35nm gate-length N and P transistors. Unique, but simple and low cost, process changes have been utilized to modulate channel str
Publikováno v:
2003 8th International Symposium Plasma- and Process-Induced Damage..
Back-end plasma process-induced damage has become a major concern for device reliability. Previous methods of process characterization do not allow for isolation of a single process within a metal loop. To solve this problem we developed a deprocessi
Publikováno v:
[Chiryo] [Therapy]. 44
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.