Zobrazeno 1 - 10
of 534
pro vyhledávání: '"C. K. Chiang"'
Effect of Salt Solution Environment on the Aging of Styrene−Butadiene−Styrene (SBS)-Modified Asphalt
Publikováno v:
Polymers, Vol 16, Iss 12, p 1709 (2024)
The aim of this paper is to investigate the aging mechanism of asphalt in the sea salt erosion environment from a rheological point of view. In order to simulate the real pavement aging process in the sea salt erosion environment, base asphalt and St
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d3214e74e07447b39c877eb6b21cad30
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2022 6th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1cfb0108519929d8859e66bb650004c9
https://doi.org/10.1109/edtm53872.2022.9798277
https://doi.org/10.1109/edtm53872.2022.9798277
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
E-Ray Hsieh, J. L. Lin, Ming-Daou Lee, J. K. Chang, G. L. Luo, Osbert Cheng, K. S. Li, Steve S. Chung, C. K. Chiang, H. Pai
Publikováno v:
2021 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications (VLSI-TSA).
A new improvement of FinFET has been demonstrated in the extension of the Moore’s Law toward N3 technology and beyond. Instead of conventional STI, the approach is to use air-trench-isolation (ATI) between fins such that, in the width direction, in
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b4d2773daebb659d45223cf355628b05
https://doi.org/10.1109/vlsi-tsa51926.2021.9440097
https://doi.org/10.1109/vlsi-tsa51926.2021.9440097