Device Simulation

Autor: M. Schröter, G. Wedel, N. Rinaldi, C. Jungemann

Publikováno v: Silicon-Germanium Heterojunction Bipolar Transistors for Mm-wave Systems Technology, Modeling and Circuit Applications ISBN: 9781003339519

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::87eca91149e8e2717ddfbd453afde62b
https://doi.org/10.1201/9781003339519-3

Massively parallel FDTD full-band Monte Carlo simulations of electromagnetic THz pulses in p-doped silicon at cryogenic temperatures

Autor: C. Jungemann, F. Meng, M.D. Thomson, H.G. Roskos

Publikováno v: Solid-State Electronics. 197:108439

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::05562e2d0f9282e209a353ac359e9f7a
https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108439

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

TCAD Ready Density Gradient Calculation of Channel Charge for Strained Si/Strained Si1−x Gex Dual Channel pMOSFETs on (001) Relaxed Si1−y Gey

Autor: Anh-Tuan Pham, B. Meinerzhagen, C.D. Nguyen, C. Jungemann

Publikováno v: Journal of Computational Electronics. 3:193-197

In this paper, we study the charge distribution in the inversion layer of a strained Si/strained Si1−x Ge x dual channel pMOSFET on relaxed Si1−y Ge y . First, the size quantization of the two-dimensional hole gas (2 DHG) in the strained layers i

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::42b1f002e9145c25841f0304f6a54cce
https://doi.org/10.1007/s10825-004-7043-z