Zobrazeno 1 - 10
of 414
pro vyhledávání: '"C. H. Yao"'
Publikováno v:
Radioengineering, Vol 33, Iss 2, Pp 322-328 (2024)
Accurate identification of jamming patterns is a crucial decision-making basis for anti-jamming in wireless communication systems. Current works still face challenges in fully considering the substantial influence of environmental noise on identifica
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b354641025954a47a7dee7ae90effb5e
Autor:
S. H. Hsieh, R. S. Solanki, Y. F. Wang, Y. C. Shao, S. H. Lee, C. H. Yao, C. H. Du, H. T. Wang, J. W. Chiou, Y. Y. Chin, H. M. Tsai, J.-L. Chen, C. W. Pao, C.-M. Cheng, W.-C. Chen, H. J. Lin, J. F. Lee, F. C. Chou, W. F. Pong
Publikováno v:
Scientific Reports, Vol 7, Iss 1, Pp 1-11 (2017)
Abstract The local electronic and atomic structures of the high-quality single crystal of SrFeO3-δ (δ~0.19) were studied using temperature-dependent x-ray absorption and valence-band photoemission spectroscopy (VB-PES) to investigate the origin of
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e6f9084eab144ec88424c78c2f50bb94
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Yuan-Chieh Tseng, P. J. Sung, Jia-Min Shieh, C. T. Wu, N. C. Lin, C. J. Su, W. F. Wu, C. H. Yao, Y. J. Lee, Vita Pi-Ho Hu, Yeong-Her Wang, Y. F. Huang, W. K. Yeh, Chia-Min Lin, Kuo-Fu Lee, B. C. Zheng, T. S. Chao, J. Y. Li, K. L. Lin, T. C. Hong, M. K. Huang, T. Y. Yu, Kuo-Hsing Kao
Publikováno v:
2020 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
For the first time, a 3D stacking of MoS 2 and Si CMOS integrated with embedded RRAM is proposed and fabricated, and CMOS inverter comprised of MoS 2 nFET and Si pFET is demonstrated. Vertically stacked multiple MoS 2 channels are required for the pe
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::61a81fafc49a1ab5a8786f41003a8bda
https://doi.org/10.1109/iedm13553.2020.9371988
https://doi.org/10.1109/iedm13553.2020.9371988
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.