Zobrazeno 1 - 10
of 14
pro vyhledávání: '"C. Grazzi"'
Publikováno v:
Nanostructured Materials. 11:775-782
Thin film multilayers, constituted by ten Fe/Al bilayers with Fe thickness in the range 15 ÷ 30 A and constant Al thickness of 20 A, have been obtained by electron beam evaporation in ultra high vacuum. Sample characterization was performed using tr
Publikováno v:
The European Physical Journal Applied Physics. 27:193-195
This paper reports on first results obtained on GaN epitaxial layer grown on a single wafer with a lateral variation in defect density. The chemically homogeneous GaN epitaxial layer was deposited by nietalorganic chemical vapour deposition onto a sp
Publikováno v:
Journal of Magnetism and Magnetic Materials. :563-565
Morphological and magnetic properties of Fe/Al ultra-thin film multilayers are studied as a function of Fe layer thickness by means of transmission electron microscopy, conversion electron Mossbauer spectroscopy, alternating gradient force magnetomet
Publikováno v:
Industrial Applications of the Mössbauer Effect ISBN: 9789401039505
The solid state interactions occurring at high temperature in the Cr-FeB and Fe-CrB systems were studied by transmission Mossbauer and X-ray diffraction techniques on samples prepared by powders carefully mixed, cold-compacted and then treated at 100
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::42258400894ff949d8f6ddf081b37e7e
https://doi.org/10.1007/978-94-010-0299-8_42
https://doi.org/10.1007/978-94-010-0299-8_42
Publikováno v:
Industrial Applications of the Mössbauer Effect ISBN: 9789401039505
Co/Fe multilayers were electron beam evaporated in ultra-high vacuum and analyzed by Alternating Gradient Force Magnetometry, Magnetic Force Microscopy, Conversion Electron Mossbauer Spectroscopy, and Transmission Electron Microscopy. The multilayer
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::907dc993ca3df81e8d94e41ec7b86920
https://doi.org/10.1007/978-94-010-0299-8_60
https://doi.org/10.1007/978-94-010-0299-8_60
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 100:073711
We studied a GaN epitaxial wafer grown by metal organic chemical vapor deposition, in which a lateral variation in the density of dislocations and associated defects was induced by a special preparation of the GaN buffer layer. Electron beam induced
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.