Zobrazeno 1 - 10
of 73
pro vyhledávání: '"C. Fukumoto"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Economic Entomology. 106:463-472
Spider mites are difficult to identify because they are very small and have a limited number of diagnostic characters. Most species of the spider mite genus Tetranychus in Japan are morphologically similar, differing only in the diameter of the aedea
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of economic entomology. 106(1)
Spider mites are difficult to identify because they are very small and have a limited number of diagnostic characters. Most species of the spider mite genus Tetranychus in Japan are morphologically similar, differing only in the diameter of the aedea
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Hajime Yamagishi, Masanori Hosomi, K. Yamane, Kazuhiro Bessho, H. Hachino, C. Fukumoto, Hiroshi Kano, H. Yamada, Takashi Yamamoto, M. Shoji, Yutaka Higo, H. Nagao
Publikováno v:
IEEE InternationalElectron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest..
A novel nonvolatile memory utilizing spin torque transfer magnetization switching (STS), abbreviated spin-RAM hereafter, is presented for the first time. The spin-RAM is programmed by magnetization reversal through an interaction of a spin momentum-t
Autor:
H. Itoh, C. Fukumoto, H. Narisawe, Kazuhiro Bessho, M. Motoyoshi, Hiroshi Kano, H. Mori, K. Moriyama
Publikováno v:
2002 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers (Cat. No.01CH37303).
This work is a report on high-performance MRAM technology. 0.4/spl times/0.8 /spl mu/m/sup 2/ MTJ elements were successfully integrated with 0.35 /spl mu/m CMOS technology without process-induced damage. A magnetoresistance (MR) ratio of more than 55