Zobrazeno 1 - 10
of 159
pro vyhledávání: '"C. Diouf"'
Publikováno v:
African Journal of Urology, Vol 21, Iss 1, Pp 10-14 (2015)
Buts: Le but de ce travail était de décrire les aspects épidémiologiques, cliniques et thérapeutiques de la cryptorchidie dans le service de Chirurgie Pédiatrique en milieu africain. Patients et méthodes: Il s’agissait d’une étude rétros
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e4db778fcecc4fdeb963833dba42c03c
Autor:
C. Doyen, V. Yon, X. Garros, L. Basset, T. Mota Frutuoso, C. Dagon, C. Diouf, X. Federspiel, V. Millon, F. Monsieur, C. Pribat, D. Roy
Publikováno v:
2023 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS).
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
F. Gianesello, C. Charbuillet, N. Derrier, D. Muller, C. Diouf, D. Ney, C. Deglise-Favre, I. Sicard, M. Ali Nsibi, R. Debroucke, M. Buczko, C.A. Legrand, Ph. Cathelin, F. Paillardet, J.C. Mas, P. Chevalier, D. Gloria
Publikováno v:
2022 International Electron Devices Meeting (IEDM).
Autor:
O., Sow1 sowomar506@gmail.com, C., Diouf1, A., Ndong2, I., Diallo1, A., Traore1, O., Toure A.3, I., Konate2, M., Dieng3
Publikováno v:
Revue Africaine de Chirurgie et Spécialités. 2020, Vol. 14 Issue 3, p11-16. 6p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Médecine et Chirurgie du Pied. 35:32-35
Le chondrosarcome est un des cancers primitifs des os les plus fréquents chez les adultes âgés de plus de 50 ans. Il est plus souvent localisé au niveau des os longs comme le fémur, le tibia et l’humérus. Nous rapportons le cas d’un chondro
Publikováno v:
Journal of Rare Diseases Research & Treatment. 4:28-33
Publikováno v:
IRPS
A lot of efforts were made to take into account self-heating to improve aging models for hot carrier induced degradation. As a general approach, MOS transistor parameter drift measured at various stress voltages was renormalized to a common junction