Zobrazeno 1 - 10
of 61
pro vyhledávání: '"C. Di Nardo"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 83:1986-1993
The aim of this study is to propose an efficient wet cleaning of the surfaces of the SiGe virtual substrates just after a chemical mechanical polishing step. We have first of all studied the chemical compatibility of miscellaneous solutions, such as
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ed82cbb930d750a82d1fa45a9f5c707d
https://doi.org/10.1016/j.mee.2006.02.018
https://doi.org/10.1016/j.mee.2006.02.018
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 290:523-531
We have first of all studied (in reduced pressure–chemical vapour deposition) the high-temperature growth kinetics of SiGe in the 0–100% Ge concentration range. We have then grown very high Ge content (55–100%) SiGe virtual substrates at 850 °
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::34208ae5748715f822a4e819159c8615
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2006.02.019
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2006.02.019
Autor:
D. Bensahel, A. Tiberj, Vincent Paillard, N. Kernevez, M. N. Séméria, Bruno Ghyselen, Hubert Moriceau, Etienne Snoeck, André Rocher, C. Di Nardo, Alain Claverie, Pascal Besson, Thomas Ernst, J.M. Hartmann, Alexandra Abbadie, Cecile Aulnette, Anne Ponchet, Fuccio Cristiano, Frank Fournel, Olivier Rayssac, M. Cabié, Francois Andrieu, I. Cayrefourq, Laetitia Vincent, Philippe Boucaud, Carlos Mazure, Y. Bogumilowicz, Benedite Osternaud, Nicolas Daval
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 48:1285-1296
Strained silicon on insulator wafers are today envisioned as a natural and powerful enhancement to standard SOI wafers and/or bulk-like strained Si layers. This paper is intended to demonstrate through miscellaneous structural results how a layer tra
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::80645e4dd32d70e3eedeaa9e232397ed
https://doi.org/10.1016/j.sse.2004.01.011
https://doi.org/10.1016/j.sse.2004.01.011
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
R. M. De Lederkremer, C. Di Nardo, Daniel Vega, Ricardo Baggio, María Teresa Garland, O. Varela
Publikováno v:
ChemInform. 26
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9a0d7b6f091628d6b2f0536e37be8f64
https://doi.org/10.1002/chin.199530248
https://doi.org/10.1002/chin.199530248
Publikováno v:
ChemInform. 27
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fcdaf6b58edffcf3413f5e0426027af8
https://doi.org/10.1002/chin.199641075
https://doi.org/10.1002/chin.199641075