Zobrazeno 1 - 10
of 28
pro vyhledávání: '"C. Deglise"'
Autor:
F. Gianesello, C. Charbuillet, N. Derrier, D. Muller, C. Diouf, D. Ney, C. Deglise-Favre, I. Sicard, M. Ali Nsibi, R. Debroucke, M. Buczko, C.A. Legrand, Ph. Cathelin, F. Paillardet, J.C. Mas, P. Chevalier, D. Gloria
Publikováno v:
2022 International Electron Devices Meeting (IEDM).
Autor:
P. Le Maitre, Pierre Bar, Frederic Boeuf, Stephane Monfray, Francois Leverd, D. Ristoiu, M. Binda, A. Daverio, Nathalie Vulliet, Sebastien Cremer, C. Durand, C. Deglise, Jean-Robert Manouvrier, Antonio Canciamilla, Angelica Simbula, Matteo Traldi, Mark Andrew Shaw, A. Bazzotti, Laurene Babaud, Antonio Fincato, Luca Ramini, Sébastien Jan, J.F. Carpentier, D. Goguet, Luca Maggi, P. Gambini, Charles Baudot
Publikováno v:
2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
A Silicon photonics platform operating at 100 Gbit/s (53Gbaud-PAM4) per lane is demonstrated. Integration of 60 GHz High-Speed Photodiode and efficient High-Speed Phase Modulator into a 400G-DR4 3D test chip is shown. Extension towards 400G-FR4 is ad
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
S. Joblot, C. De-Buttet, Sébastien Petitdidier, F. Abbate, C. Jenny, Didier Celi, B. Ramadout, Thomas Quemerais, Sebastien Haendler, Laurent Favennec, Daniel Gloria, O. Robin, C. Richard, E. Canderle, B. Borot, K. Haxaire, N. Derrier, Remi Beneyton, Julien Rosa, G. Ribes, O. Saxod, P. Brun, Y. Campidelli, Pascal Chevalier, Cedric Durand, A. Montagne, Francois Leverd, G. Imbert, Olivier Gourhant, M. Guillermet, E. Gourvest, L. Berthier, Clement Tavernier, J. Cossalter, M. Buczko, C. Deglise, Mickael Gros-Jean, C. Julien, Jean-Damien Chapon, K. Courouble, D. Ney, G. Avenier, Patrick Maury, Y. Carminati, R. Bianchini, F. Foussadier
Publikováno v:
2014 IEEE International Electron Devices Meeting.
This paper presents the first 55 nm SiGe BiCMOS technology developed on a 300 mm wafer line in STMicroelectronics. The technology features Low Power (LP) and General Purpose (GP) CMOS devices and 0.45 µm2 6T-SRAM bit cell. High Speed (HS) HBT exhibi
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
A. Rougemont, C. Deglise, Elisabetta Rapiti, Georges Vlastos, M. Usel, Pierre O. Chappuis, Helena M. Verkooijen, Christine Bouchardy, M. Burri, Isabelle Neyroud-Caspar
Publikováno v:
European Journal of Cancer Supplements. 6:75-76
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Pierre O. Chappuis, Elisabetta Rapiti, Georges Vlastos, Christine Bouchardy, Helena M. Verkooijen, Isabelle Neyroud-Caspar, C. Deglise, M. Burri, A. Rougemont, M. Usel
Publikováno v:
European Journal of Cancer Supplements. 6:75
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.