Zobrazeno 1 - 10
of 15
pro vyhledávání: '"C. Costrini"'
Autor:
L. Marescialli, Antonio Cetronio, F. Corsaro, Claudio Lanzieri, A. Bettidi, C. Costrini, D. Carosi
Publikováno v:
2010 IEEE International Symposium on Phased Array Systems and Technology.
In this paper an innovative solution leading to high performance/low-cost multi-domain T/R modules, utilizing emerging semi-conductor technologies such as GaN and SiGe, will be outlined. In particular a complete X-Band TRM MMIC chip-set based on GaN
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e442d6653137951a8d4952c5a119b80f
https://doi.org/10.1109/array.2010.5613361
https://doi.org/10.1109/array.2010.5613361
Autor:
Marco Peroni, G. Melone, S. Lavanga, Ernesto Limiti, Claudio Lanzieri, C. Costrini, Antonio Cetronio, Giovanni Ghione, Antonio Serino, M. Calori
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
In this paper a first iteration design, fabrication and test of a two-stage X-Band MMIC HPA in micro-strip AlGaN/GaN technology is reported. With 20 V drain voltage operating bias point, at 3 dB compression point, the HPA delivers a pulsed output pow
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::591ca815fb40a4c2364e21da15abf538
https://doi.org/10.1109/eumc.2008.4751735
https://doi.org/10.1109/eumc.2008.4751735
Autor:
Claudio Lanzieri, L. Marescialli, A. Bettidi, S. Maccaroni, M. Calori, A. Cetronio, M. Cicolani, C. Costrini, Marco Peroni
Publikováno v:
2008 IEEE Radar Conference.
In this paper a first iteration X-band T/R module based on a GaN-HEMT MMIC front-end chip-set, comprising a power amplifier, robust low-noise amplifier and power switch will be presented. Even though ultimate T/R module performance cannot be achieved
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::042a474a26108c8191b40c0b48dca30a
https://doi.org/10.1109/radar.2008.4720975
https://doi.org/10.1109/radar.2008.4720975
Publikováno v:
2007 European Microwave Integrated Circuit Conference.
The development of a MMIC HPA designed for X-band radar applications is reported. The chip was fabricated with a low-cost 0.4 mum GaAs PHEMT process and is composed of two stages, with a final stage of 16 mm gate-width periphery. In the frequency ban
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::81620319b72556c3cff57f3458aee943
https://doi.org/10.1109/emicc.2007.4412670
https://doi.org/10.1109/emicc.2007.4412670
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.