Zobrazeno 1 - 10
of 357
pro vyhledávání: '"C. CHAIX"'
Publikováno v:
Sciences, Eaux & Territoires, Iss Articles hors-série 2020 (2020)
Fonte des glaciers, éboulements... les impacts du changement climatique sont déjà bien visibles dans les Alpes, où la température moyenne augmente deux fois plus vite qu'ailleurs en France. Face à ces impacts, qui s'accentueront, et d'autres qu
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/da99b5df599e427aae7591772c5a45de
Autor:
C. CHAIX
Publikováno v:
Sciences, Eaux & Territoires, Iss 28 (2019)
Planification et adaptation font-elles bon ménage dans les territoires de moyenne montagne ? Pour y répondre, des acteurs franco-italiens ont initié en 2017 le projet européen ARTACLIM. Conçu comme un projet de recherche-action, il a pour object
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d69821ea5b4c4c25ad91c3cb6c91aa07
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Benjamin Damilano, C. Chaix, Marc Portail, Yvon Cordier, Phannara Aing, Philippe Vennéguès, Filip Tuomisto, Denis Lefebvre, M. Nemoz, F. Linez, Eric Frayssinet
Publikováno v:
Journal of crystal growth. 433:165-171
The behavior of a high density radical source for the plasma assisted molecular beam epitaxy of GaN and AlGaN compounds is studied and compared with the one of a conventional plasma source. Plasma light emission correlates with the GaN growth rate. B
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::fd6a22d582f430f2b4c4e3635fba457d
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2015.10.017
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2015.10.017
Autor:
M. Korytov, Jean Massies, Mohamed Al Khalfioui, Philippe Vennéguès, T. Q. P. Vuong, Bernard Gil, Samuel Matta, Julien Brault, C. Chaix
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth
Journal of Crystal Growth, Elsevier, 2018, 499, pp.40. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2018.07.023⟩
Journal of Crystal Growth, Elsevier, 2018, 499, pp.40. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2018.07.023⟩
International audience; AlN epilayer properties (120 nm thick) grown by ammonia assisted molecular beam epitaxy on c-sapphire substrates with different low temperature AlN buffer layers (LT-BL) have been studied. The role of the LT-BL on the AlN stru
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::aeb0c148f65dab1addac532311965ca6
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01863559
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01863559
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
R. P. Campion, Ignacio Tobías, Iñigo Ramiro, E. Hernández, P.G. Linares, D. Fuertes Marrón, Antonio Martí, Colin Stanley, Sergio I. Molina, P. Gérard, Esther López, I. Artacho, Elisa Antolin, C. T. Foxon, Antonio Luque, C. Chaix
Publikováno v:
Solar Energy Materials and Solar Cells. 108:175-179
Intermediate band materials incorporate a collection of energy levels with special optoelectronic properties within the semiconductor bandgap. This feature broadens the energy range of the solar spectrum useful for photovoltaic conversion and has the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b971d702642434c3bea4dde8ad433a44
https://doi.org/10.1016/j.solmat.2012.09.028
https://doi.org/10.1016/j.solmat.2012.09.028