Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"C. Boir"'
Publikováno v:
2018 IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA).
In modern IC technologies, it is very common to use germanium enriched silicon in order to increase field effect transistor (FET) channel carrier mobility for high performance. The germanium content modifies the effective semiconductor band gap EG. T
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.