Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"C. Barwin"'
Publikováno v:
IEEE Journal of Solid-State Circuits. 42:813-819
This paper describes a 32-Mb SRAM that has been designed and fabricated in a 65-nm low-power CMOS Technology. The 62-mm2 die features read-assist and write-assist circuit techniques that expand the operating voltage range and improve manufacturabilit
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6c989cbb72e356383534cdf22815dcc0
https://doi.org/10.1109/jssc.2007.892153
https://doi.org/10.1109/jssc.2007.892153
Autor:
E. Gow, K. Maloney, Andre Sturm, Malissa J. Wood, J. DeBrosse, W. Obermeyer, C. Barwin, William J. Gallagher, Heinz Hoenigschmid, Gerhard Mueller, A.R. Sitaram, D. Willmott, Stefan Lammers, Hans-Heinrich Viehmann, Thomas M. Maffitt, C. Arndt, D. Gogl, Mark C. H. Lamorey, Yu Lu, A. Bette
Publikováno v:
IEEE Journal of Solid-State Circuits. 40:902-908
A 16-Mb magnetic random access memory (MRAM) is demonstrated in 0.18-/spl mu/m three-Cu-level CMOS with a three-level MRAM process adder. The chip, the highest density MRAM reported to date, utilizes a 1.42/spl mu/m/sup 2/ 1-transistor 1-magnetic tun
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::5038456bec413d62e3b72e9fea64a323
https://doi.org/10.1109/jssc.2004.842856
https://doi.org/10.1109/jssc.2004.842856
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.