Zobrazeno 1 - 10
of 23 217
pro vyhledávání: '"C. Back"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Roeder, Vickey R.1 (AUTHOR) roeder.vickey@mayo.edu, Atkins, H. Natalie2 (AUTHOR), Ryan, Mary Ann3 (AUTHOR), Harms, Heather J.4 (AUTHOR)
Publikováno v:
Nephrology Nursing Journal. Nov/Dec2013, Vol. 40 Issue 6, p509-516. 8p. 3 Charts.
Autor:
Valadez, Joseph J.1,2, Jeffery, Caroline1,2 cjeffery@liv.ac.uk, Davis, Rosemary1,2, Ouma, Joseph2,3, Lwanga, Stephen K.2,3, Moxon, Sarah1,2
Publikováno v:
PLoS ONE. Apr2014, Vol. 9 Issue 4, p1-9. 9p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Joseph J Valadez, Caroline Jeffery, Rosemary Davis, Joseph Ouma, Stephen K Lwanga, Sarah Moxon
Publikováno v:
PLoS ONE, Vol 9, Iss 4, p e93083 (2014)
A major strategy for preventing transmission of HIV and other STIs is the consistent use of condoms during sexual intercourse. Condom use among youths is particularly important to reduce the number of new cases and the national prevalence. Condom use
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/756985e0bd284539be124623512976c7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
ACS Applied Materials & Interfaces. 9:25204-25215
Solar cells with high efficiency, low cost, and high stability are the target for the new generation of solar cells. A fully printable perovskite (CH3NH3PbI3) solar cell (PSC) with device architecture FTO/TiO2/Al2O3/NiOx/C is fabricated in the curren
Publikováno v:
IPTEK Journal of Proceedings Series. 3
Investigation on flexural behavior of cold-formed steel (CFS) C back-to-back beam has been conducted in this study. In North American Specification for the Design of Cold-Formed Steel Structural Members, there is only the information on the spacing c
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 37:310-313
© 2016 IEEE. In this letter, we identified a dominant buffer trapping causing a bias-dependent dynamic RON for AlGaN/GaN Schottky barrier diodes (SBDs) fabricated on a C-doped AlGaN buffer as back-barrier. Current transient measurements at various t