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Autor:
Süleyman Özçelik, İlknur Kars Durukan, A. Gultekin, Ekmel Ozbay, Ömer Akpınar, Mustafa Öztürk, C. Avar
Publikováno v:
Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics
In the present work, we have reported two high-electron-mobility transistor structures (HEMTs) with different thick AlN buffer deposited on sapphire substrates by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD). AlN buffer layer has a critical import
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::9b06e4f5d6f140514725f1bbb4d4cb01
https://doi.org/10.1166/jno.2018.2239
https://doi.org/10.1166/jno.2018.2239
Autor:
J. M. Amado, C. Ávarez, G. Nicolás, A. J. López, J. A. Pérez, A. Ramil, E. Saavedra, J. Sanesteban, M. J. Tobar, A. Yáñez
Publikováno v:
Revista de Metalurgia, Vol 40, Iss 5, Pp 365-368 (2004)
Los procesos de endurecimiento superficial de aceros dependen de los ritmos de calentamiento y enfriamiento del material, que han de ser rápidos. En el endurecimiento por láser, el rápido calentamiento viene asegurado por la elevada densidad de po
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https://doaj.org/article/7f05040d545a485db5825b855073255e