Zobrazeno 1 - 10
of 74
pro vyhledávání: '"C. Autret-Lambert"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
D M, Neacsa, K, Abbassi, H, Guesmi, P L, Coddet, J, Vulliet, M, El Amrani, S, Dealmeida-Didry, S, Roger, V, Ta Phuoc, R, Sopracase, F, Gervais, C, Autret-Lambert
Publikováno v:
RSC advances. 11(18)
Solid oxide cells (SOCs) are electrochemical devices that convert the chemical energy of a fuel into electricity. With regard to electrodes, the development of materials with mixed conduction properties is a key issue for improving the performance of
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Magnetism and Magnetic Materials. 323:509-514
Polycrystalline YMn1−xFexO3 (x=0.02–0.20) powders were synthesized by means of modified citrate method. Powder X-ray diffraction gives evidence that all the samples are single phase and exhibit hexagonal structure with P63cm space group as observ
Autor:
Emmanuel Collard, Marc Portail, C. Autret-Lambert, Anne Elisabeth Bazin, Jean-François Michaud, Marcin Zielinski, Thierry Chassagne, Daniel Alquier, Frédéric Cayrel
Publikováno v:
Materials Science and Engineering: B. 171:120-126
For electronic devices, good ohmic contacts are required. To achieve such contacts, the semiconductor layer has to be highly doped. The only method available to locally dope the SiC is to implant dopants in the epilayer through a mask. In this work,