Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"C. AnDyke"'
Autor:
Benjamin J. Orr, Nathan Jack, C. Auth, A. Schmitz, Tony Acosta, Steven S. Poon, Che-Yun Lin, Abdur Rahman, C. AnDyke, Rahim Kasim, K. Downes, G. McPherson, Sunny Chugh, Madhavan Atul, D. Nminibapiel, Adam Neale, K. Sethi, Seung Hwan Lee, S. Ramey, Tanmoy Pramanik, Michael L. Hattendorf, Emre Armagan, J. Palmer, Subhash M. Joshi, Ian R. Post, C. M. Pelto, P. Nayak, Yeoh Andrew W, G. Martin, Gerald S. Leatherman, H. Wu, N. Seifert, A. Lowrie, R. Grover, H. Mao
Publikováno v:
IRPS
We provide a comprehensive overview of the reliability characteristics of Intel’s 10+ logic technology. This is a 10 nm technology featuring the third generation of Intel’s FinFETs, seventh generation of strained silicon, fifth generation of high
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::76e7a8286d09b3f3bfcb1c27f6a51e61
https://doi.org/10.1109/irps45951.2020.9128345
https://doi.org/10.1109/irps45951.2020.9128345
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.