Zobrazeno 1 - 10
of 97
pro vyhledávání: '"C-J Zhan"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
J. H. Lau, C.-J. Zhan, P.-J. Tzeng, C.-K. Lee, M.-J. Dai, H.-C. Chien, Y.-L. Chao, W. Li, S.-T. Wu, J.-F. Hung, R.-M. Tain, C.-H. Lin, Y.-C. Hsin, C.-C. Chen, S.-C. Chen, C.-Y. Wu, J.-C. Chen, C.-H. Chien, C.-W. Chiang, H.-H. Chang, W.-L. Tsai, R.-S. Cheng, S.-Y. Huang, Y.-M. Lin, T.-C. Chang, C.-D. Ko, T.-H. Chen, S.-S. Sheu, S.-H. Wu, Y.-H. Chen, W.-C. Lo, T.-K. Ku, M.-J. Kao, D.-C. Hu
Publikováno v:
Journal of Microelectronics and Electronic Packaging. 8:171-178
The feasibility of a 3D IC integration SiP has been demonstrated in this investigation. The heart of this SiP is a TSV (through-silicon via) interposer with an RDL (redistribution layer) on both sides, IPD (integrated passive devices), and SS (stress
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::678f3d464ab99ca88abd0b1a0d2dc22b
https://doi.org/10.4071/imaps.306
https://doi.org/10.4071/imaps.306
Autor:
Chien-Chou Chen, Y.-M. Lin, Tzu-Kun Ku, Shyh Shyuan Sheu, T.-C. Chang, John H. Lau, Shih-Hsien Wu, W.-L. Tsai, T. H. Chen, W. Li, Chien-Ying Wu, C.-W. Chiang, C.-D. Ko, C.-H. Chien, S.-Y. Huang, Heng-Chieh Chien, Yu-Lin Chao, Ra-Min Tain, C.-H. Lin, Yu-Hua Chen, Wei-Chung Lo, C.-J. Zhan, Hsiang-Hung Chang, R.-S. Cheng, D.-C. Hu, Shang-Chun Chen, Ming-Jer Kao, Jui-Chin Chen, Ming-Ji Dai, Sheng-Tsai Wu, Yu-Chen Hsin, C.-K. Lee, Pei-Jer Tzeng, Jui-Feng Hung
Publikováno v:
International Symposium on Microelectronics. 2011:000446-000454
The feasibility of a 3D IC integration SiP has been demonstrated in this investigation. The heart of this SiP is a TSV (through-silicon via) interposer with RDL (redistribution layer) on both sides, IPD (integrated passive devices) and SS (stress sen
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1c97936af9eeac7cdd28ffd1382159f7
https://doi.org/10.4071/isom-2011-wa1-paper1
https://doi.org/10.4071/isom-2011-wa1-paper1
Autor:
Jie Xue, T-H Chen, S. Chung, John H. Lau, T-K Ku, C-J Zhan, Y. Lee, P. Chang, S-C Chen, M-J Kao, H. Fu, C-T Ko, Y. Hsu, Li Li, M-J Dai, W. Tsai, W-C Lo, C-K Lee, P-J Tzeng, Z. Hsiao, Y-H Chen, M. Brillhart, J. Huang, S-W Chen
Publikováno v:
International Symposium on Microelectronics. 2011:000650-000656
In this study, the wafer bumping and characterization of fine-pitch lead-free solder microbumps on 300mm wafer for 3D IC integration are investigated. Emphasis is placed on the Cu-plating solutions (conformal and bottom-up). Also, the amount of Cu an
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::13c1100ae76a72ff83fb3f0d772e7338
https://doi.org/10.4071/isom-2011-wa6-paper2
https://doi.org/10.4071/isom-2011-wa6-paper2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.