Zobrazeno 1 - 10
of 89
pro vyhledávání: '"C T Le"'
Publikováno v:
Russian Mathematics. 66:1-6
Publikováno v:
Symmetry, Vol 10, Iss 11, p 564 (2018)
Race recognition (RR), which has many applications such as in surveillance systems, image/video understanding, analysis, etc., is a difficult problem to solve completely. To contribute towards solving that problem, this article investigates using a d
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/9b52b0ace8084e959209908f66356c66
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
T H Nguyen, I.M. Hahne, T T H Le, M. M. Zierhut, Van Tuan Nguyen, Kerem Böge, Stephan Ripke, Alice Braun, Vassily Trubetskoy, X T Pham, N H Lam, Thi Minh Tam Ta, Georgia Panagiotaropoulou, Isabella Heuser-Collier, Julia Kraft, Eric Hahn, Malek Bajbouj, V P Nguyen, C T Le
ObjectivesGenome-Wide Association Studies (GWAS) of Schizophrenia (SCZ) have provided new biological insights; however, most cohorts are of European ancestry. As a result, derived polygenic risk scores (PRS) show decreased predictive power when appli
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::021762eb3696cd74e6eced89533eaa6e
https://doi.org/10.1101/2021.04.21.21255615
https://doi.org/10.1101/2021.04.21.21255615
Autor:
Yong Soo Kim, I Ali Ahmed., Kim S.‐H., H Rock, Farman Ullah, C T Le, Sangnam Park, Lee D.‐Y., V. Senthilkumar
Publikováno v:
Journal of Nanoscience and Nanotechnology. 16:10284-10289
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Paul S. McLaughlin, Thomas J. Haigh, Devika Sil, Huai Huang, Nicholas A. Lanzillo, Raghuveer R. Patlolla, Pranita Kerber, Hosadurga Shobha, James Chingwei Li, C. B. Pcethala, Yongan Xu, Donald F. Canaperi, James J. Demarest, Elbert E. Huang, Chanro Park, Clevenger Leigh Anne H, Benjamin D. Briggs, Licausi Nicholas, Jae Gon Lee, M. Ali, Son Nguyen, Young-Wug Kim, Theodorus E. Standaert, C. T. Le, G. Lian, Griselda Bonilla, Errol Todd Ryan, Han You, David L. Rath
Publikováno v:
2018 IEEE International Interconnect Technology Conference (IITC).
As BEOL pitch continues to aggressively scale, contributions from pattern dimension and edge placement constrict the available geometry of interconnects. In particular, the critical minimum insulator spacing which defines a technologies max operating
Autor:
Yongan Xu, Peethala Cornelius Brown, Hosadurga Shobha, Chanro Park, Huai Huang, Devika Sil, Pranita Kerber, Raghuveer R. Patlolla, David L. Rath, Clevenger Leigh Anne H, M. Ali, James Chingwei Li, Jae Gon Lee, Paul S. McLaughlin, Benjamin D. Briggs, Thomas J. Haigh, C. T. Le, G. Lian, Theodorus E. Standaert, Son Nguyen, Nicholas A. Lanzillo, Licausi Nicholas, Donald F. Canaperi, Elbert E. Huang, Errol Todd Ryan, Han You, Griselda Bonilla, James J. Demarest, Young-Wug Kim
Publikováno v:
2017 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
A fully aligned via (FAV) integration scheme is introduced and demonstrated at 36 nm metal pitch, with extendibility to beyond the 7 nm node. Selective chemistries were developed to recess Cu and W wires and their associated barrier liner materials,
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.