Zobrazeno 1 - 10
of 163
pro vyhledávání: '"C Gies"'
Autor:
F Gericke, M Segnon, M von Helversen, C Hopfmann, T Heindel, C Schneider, S Höfling, M Kamp, A Musiał, X Porte, C Gies, S Reitzenstein
Publikováno v:
New Journal of Physics, Vol 20, Iss 2, p 023036 (2018)
We provide experimental and theoretical insight into single-emitter lasing effects in a quantum dot (QD)-microlaser under controlled variation of background gain provided by off-resonant discrete gain centers. For that purpose, we apply an advanced t
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/584a561c25ef4e22abb33563530a2a15
Autor:
S. Lichtmannecker, M. Florian, T. Reichert, M. Blauth, M. Bichler, F. Jahnke, J. J. Finley, C. Gies, M. Kaniber
Publikováno v:
Scientific Reports, Vol 7, Iss 1, Pp 1-6 (2017)
Abstract We report on non-conventional lasing in a photonic-crystal nanocavity that operates with only four solid-state quantum-dot emitters. In a comparison between microscopic theory and experiment, we demonstrate that irrespective of emitter detun
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/87a4117e6cca452d9ba830d5d02d7dce
Autor:
F Lohof, J Michl, A Steinhoff, B Han, M von Helversen, S Tongay, K Watanabe, T Taniguchi, S Höfling, S Reitzenstein, C Anton-Solanas, C Gies, C Schneider
We revisit and extend the standard bosonic interpretation of interlayer excitons (ILX) in the moiré potential of twisted heterostructures of transition-metal dichalcogenides. In our experiments, we probe a high quality MoSe2/WSe2 van der Waals bilay
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::14bc7741caaa1b3038c9e06da4254f2e
http://arxiv.org/abs/2302.14489
http://arxiv.org/abs/2302.14489
Autor:
J. Buchgeister, M. L. Drechsler, F. Lohof, C. Gies, A. Koulas-Simos, K. Laiho, G. Sinatkas, T. Zhang, J. Xu, Q. Kan, R. K. Zhang, C.-Z. Ning, S. Reitzenstein, W. W. Chow, F. Jahnke
Publikováno v:
2022 28th International Semiconductor Laser Conference (ISLC).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::84b18bb32106a1671c6a5612a9941341
https://doi.org/10.23919/islc52947.2022.9943328
https://doi.org/10.23919/islc52947.2022.9943328
Autor:
J. Kutrowska-Girzycka, E. Zieba-Ostój, D. Biegańska, M. Florian, A. Steinhoff, E. Rogowicz, P. Mrowiński, K. Watanabe, T. Taniguchi, C. Gies, S. Tongay, C. Schneider, M. Syperek
Publikováno v:
Applied Physics Reviews. 9:041410
Dielectric engineering of heterostructures made from two-dimensional van der Waals semiconductors is a unique and powerful tool to tailor the electric and optical band gaps solely via the dielectric environment and the crystal thickness modulation. H
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::da4f57aec8d6006e6055a412900bb12a
https://doi.org/10.1063/5.0089192
https://doi.org/10.1063/5.0089192
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
J. Michl, C. C. Palekar, S. A. Tarasenko, F. Lohof, C. Gies, M. von Helversen, R. Sailus, S. Tongay, T. Taniguchi, K. Watanabe, T. Heindel, B. Rosa, M. Rödel, T. Shubina, S. Höfling, S. Reitzenstein, C. Anton-Solanas, C. Schneider
The investigation of excitons in van-der-Waals heterostructures has led to profound insights into the interplay of crystal symmetries and fundamental effects of light-matter coupling. In particular, the polarization selection rules in undistorted, sl
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::cf077218422e719a6330da265053b0b7
Autor:
D Zhang, M Subklewe, L Weiss, K Dorman, A Reischer, L Rohrbacher, S Boeck, T Haase, A Grosser, C Gießen-Jung, V Heinemann
Publikováno v:
Journal for ImmunoTherapy of Cancer, Vol 12, Iss Suppl 1 (2024)
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/6ddbcf361e1e470b910c5d0b6848d8fd
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.