Zobrazeno 1 - 10
of 155
pro vyhledávání: '"C Dillen"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Investigative Dermatology. 140:S119
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4a5ca87024af4c98ad4334ab2d10a3a7
https://doi.org/10.1016/j.jid.2020.03.921
https://doi.org/10.1016/j.jid.2020.03.921
Publikováno v:
Nano Letters. 16:392-398
Coherently strained Si-SixGe1-x core-shell nanowire heterostructures are expected to possess a positive shell-to-core conduction band offset, allowing for quantum confinement of electrons in the Si core. We report the growth of epitaxial, coherently
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::7e17e1ee9a7d1d9b5f69377705044b9a
https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.5b03961
https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.5b03961
Publikováno v:
ECS Transactions. 69:47-52
Group IV nanowires and nanowire heterostructures are of current interest for a broad range of applications including field-effect transistors with enhanced carrier mobility, and thermoelectric devices with engineered thermal and carrier transport pro
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::b8292ffd62aab6ebf5091d45793679a7
https://doi.org/10.1149/06912.0047ecst
https://doi.org/10.1149/06912.0047ecst