Zobrazeno 1 - 10
of 167
pro vyhledávání: '"C, Furukawa"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
physica status solidi c. 3:3480-3483
Optical properties of single fluorene/phenanthrene crystals doped with various mole fraction of anthracene, 10–5 to a few %, were investigated at 10 K. In low concentration samples, sharp structures attributed to isolated anthracene molecules were
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a30ca3c64d746bac2935abe12f8f0075
https://doi.org/10.1002/pssc.200672104
https://doi.org/10.1002/pssc.200672104
Publikováno v:
Radioprotection. 40:191-202
Simultaneous consideration of the irradiation time and the cumulative dose is necessary for evaluating the risk of long-term exposure to radiation at low dose. This study intends to examine several numerical relationships between doses and dose rates
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9f5f7b29deb949583f646eb44892ca77
https://doi.org/10.1051/radiopro:2005007
https://doi.org/10.1051/radiopro:2005007
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Journal of Solid-State Circuits. 28:478-483
A 1-Mb (256 K*4) CMOS SRAM with 6-ns access time is described. The SRAM, having a cell size of 3.8 mu m*7.2 mu m and a die size of 6.09 mm*12.94 mm, is fabricated by using 0.5- mu m triple-polysilicon and double-metal process technology. The fast acc
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0f36145b941e27061b349b5268134a9a
https://doi.org/10.1109/4.210031
https://doi.org/10.1109/4.210031