Výsledky vyhledávání - "Byoung Gi Mm"

Akademický článek

Effect of deposition conditions of poly Si[sub 1-x]Ge[sub x] films and Ge atoms on the electrical properties of poly Si[sub 1-x]Ge[sub x] (x=0,0.6)/HfO[sub 2] gate stack.

Autor: Sung Kwan Kang, Suheun Nam, Byoung Gi Mm, Seok Woo Nam, Dae-hong Ko, Mann-Ho Cho

Publikováno v: Journal of Applied Physics; 10/1/2003, Vol. 94 Issue 7, p4608, 6p, 7 Graphs

Zobrazit plný text záznamu