Zobrazeno 1 - 10
of 343
pro vyhledávání: '"Busse, S."'
Autor:
Almeida, M., Sharma, A., Matthes, P., Köhler, N., Busse, S., Müller, M., Hellwig, O., Horn, A., Zahn, D. R. T., Salvan, G., Schulz, S. E.
Publikováno v:
Scientific Reports, Vol 11, Iss 1, Pp 1-10 (2021)
Scientific Reports
Scientific Reports 11(2021), 14104
Scientific Reports
Scientific Reports 11(2021), 14104
Local crystallization of ferromagnetic layers is crucial in the successful realization of miniaturized tunneling magnetoresistance (TMR) devices. In the case of Co–Fe–B TMR devices, used most successfully so far in applications and devices, Co–
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Rasabathina, L., Sharma, A., Busse, S., Böhm, B., Samad, F., Salvan, G., Horn, A., Hellwig, O.
Publikováno v:
DPG conference Regensburg 2022, 08.09.2022, Regensburg, Germany
Two modes of laser annealing, namely, Continuous Wave (CW) and Pulsed Wave (PW) mode, are used for modifying the magnetic properties of perpendicular magnetic anisotropy (PMA) multilayers in a controlled manner. For this we compare two types of sampl
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4577::e53591192be7fc22f230d94472f68fe8
https://www.hzdr.de/publications/Publ-35174-1
https://www.hzdr.de/publications/Publ-35174-1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Sharma, A., Hoffmann, M.A., Matthes, P., Busse, S., Selyshchev, O., Mack, P., Exner, H., Horn, A., Schulz, S.E., Zahn, D.R.T., Salvan, G.
The performance of exchanged biased tunnel junctions strongly relies on the annealing process finalizing the fabrication process, which is applied to set a pinned reference magnetization, as well as to enhance the magnetoresistance ratio through the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______610::3af9e8f30040acb072f3ea071f7f9247
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/259576
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/259576
Autor:
Sharma, A., Hoffmann, M.A., Matthes, P., Koehler, N., Busse, S., Mueller, M., Exner, H., Schulz, S.E., Zahn, D.R.T., Salvan, G.
The performance of CoFeB/MgO tunnel junctions is strongly dependent on an annealing step at the end of the fabrication process to first, set a reference magnetization through the exchange bias effect and second, to crystallize the MgO/CoFe layers whi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______610::b50cfa8dcfc2d0322599196cc47d7d04
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/255431
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/255431
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.