Zobrazeno 1 - 10
of 712
pro vyhledávání: '"Busatto, G."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability November 2020 114
Autor:
Fiore, S., Abbate, C., Baccaro, S., Busatto, G., Citterio, M., Iannuzzo, F., Lanza, A., Latorre, S., Lazzaroni, M., Sanseverino, A., Velardi, F.
The radiation hardness of commercial Silicon Carbide and Gallium Nitride power MOSFETs is presented in this paper, for Total Ionizing Dose effects and Single Event Effects, under gamma, neutrons, protons and heavy ions. Similar tests are discussed fo
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1310.1902
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability September 2019 100-101
Autor:
Abbate, C., Busatto, G., Mattiazzo, S., Sanseverino, A., Silvestrin, L., Tedesco, D., Velardi, F.
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability September 2018 88-90:941-945
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability September 2018 88-90:677-683
Measure of high frequency input impedance to study the instability of power devices in short circuit
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability September 2018 88-90:540-544
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability September 2017 76-77:314-320
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Abbate, C., Busatto, G., Iannuzzo, F., Mattiazzo, S., Sanseverino, A., Silvestrin, L., Tedesco, D., Velardi, F.
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability August-September 2015 55(9-10):1496-1500