Zobrazeno 1 - 10
of 246
pro vyhledávání: '"Bury, E."'
Autor:
Tyaginov, S., Makarov, A., Chasin, A., Bury, E., Vandemaele, M., Jech, M., Grill, A., De Keersgieter, A., Linten, D., Kaczer, B.
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability July 2021 122
Autor:
Kaczer, B., Franco, J., Weckx, P., Roussel, Ph.J., Putcha, V., Bury, E., Simicic, M., Chasin, A., Linten, D., Parvais, B., Catthoor, F., Rzepa, G., Waltl, M., Grasser, T.
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability February 2018 81:186-194
Modeling Analysis of BTI-driven degradation of a Ring Oscillator Designed in a 28-nm CMOS Technology
ispartof: IEEE Transactions On Device And Materials Reliability status: published
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1131::435d34f5a80810dd86c94d8ff9c0e756
https://lirias.kuleuven.be/handle/20.500.12942/722338
https://lirias.kuleuven.be/handle/20.500.12942/722338
The defect-centric perspective of device and circuit reliability—From gate oxide defects to circuits
Autor:
Kaczer, B., Franco, J., Weckx, P., Roussel, Ph.J., Simicic, M., Putcha, V., Bury, E., Cho, M., Degraeve, R., Linten, D., Groeseneken, G., Debacker, P., Parvais, B., Raghavan, P., Catthoor, F., Rzepa, G., Waltl, M., Goes, W., Grasser, T.
Publikováno v:
In Solid State Electronics November 2016 125:52-62
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Saraza-Canflanca, P., Fodor, F., Diaz-Fortuny, J., Gierlichs, B., Degraeve, R., Kaczer, B., Verbauwhede, I., Bury, E.
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters; 2024, Vol. 45 Issue: 5 p750-753, 4p
Modeling Analysis of BTI-Driven Degradation of a Ring Oscillator Designed in a 28-nm CMOS Technology
Publikováno v:
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability; September 2023, Vol. 23 Issue: 3 p346-354, 9p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Ritzenthaler, R., Schram, T., Bury, E., Spessot, A., Caillat, C., Srividya, V., Sebaai, F., Mitard, J., Ragnarsson, L.-Å., Groeseneken, G., Horiguchi, N., Fazan, P., Thean, A.
Publikováno v:
In Solid State Electronics June 2013 84:22-27