Zobrazeno 1 - 10
of 1 090
pro vyhledávání: '"Buried oxide"'
Publikováno v:
Tạp chí Khoa học Đại học Đà Lạt, Vol 14, Iss 3S (2024)
Low bandgap and line tunneling techniques have demonstrated the most effectiveness in enhancing the on-current of tunnel field-effect transistors (TFETs). This study examines the mechanisms and designs of channel-buried oxide and a laterally doped po
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/365b821bbd59401e8682f4d8ecb5bef9
Publikováno v:
He jishu, Vol 45, Iss 5, Pp 49-54 (2022)
BackgroundTotal dose effect of silicon-on-insulator (SOI) devices can be reinforced through the back gate port, hence the device parameter degradation caused by irradiation can be compensated by applying back-gate bias voltage using the positive back
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/52b44d7ba260482cb8d46c03d0587b17
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
S. S. Teja Nibhanupudi, Siddhartha Raman Sundara Raman, Mikael Casse, Louis Hutin, Jaydeep P. Kulkarni
Publikováno v:
IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits, Vol 7, Iss 2, Pp 201-208 (2021)
Operating CMOS circuits at cryogenic temperatures offers advantages of higher mobility, higher ON-current, and better subthreshold characteristics, which can be leveraged to realize high-performance CMOS circuits. However, an ultra-low-voltage operat
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/42af5379ef9447f2a009195b668fafb8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.