Výsledky vyhledávání - "Burd, J. W."

Akademický článek

Optical Phase-Shift Measurement of Carrier Decay Times (77°K) on Lightly Doped Double-Surface and Surface-Free Epitaxial GaAs.

Autor: Keune, D. L., Holonyak, N., Burnham, R. D., Scifres, D. R., Zwicker, H. R., Burd, J. W., Craford, M. G., Dickus, D. L., Fox, M. J.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; Apr1971, Vol. 42 Issue 5, p2048-2053, 6p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Spontaneous and Stimulated Carrier Lifetime (77°K) in a High-Purity, Surface-Free GaAs Epitaxial Layer.

Autor: Dapkus, P. D., Holonyak, N., Burnham, R. D., Keune, D. L., Burd, J. W., Lawley, K. L., Walline, R. E.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; Sep1970, Vol. 41 Issue 10, p4194-4199, 6p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

THE LASER TRANSITION AND PHOTON ENERGY OF GaAs IN THE LIGHTLY-DOPED LIMIT.

Autor: Rossi, J. A., Holonyak, N., Dapkus, P. D., Williams, F. V., Burd, J. W.

Publikováno v: Applied Physics Letters; Aug1968, Vol. 13 Issue 4, p117-120, 4p

Zobrazit plný text záznamu