Zobrazeno 1 - 10
of 66
pro vyhledávání: '"Bulk MOSFET"'
Publikováno v:
IEEE Open Journal of Circuits and Systems, Vol 3, Pp 162-167 (2022)
This paper presents the open-source Python-based parameter extractor (SEKV-E) for the simplified EKV (sEKV) model, which enables the modern low-power circuit designs with the inversion coefficient design methodology. The tool extracts the essential s
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/16904d3e89844143a852305da5f51eb6
Autor:
P. Gupta, S. K. Jana
Publikováno v:
Iranian Journal of Electrical and Electronic Engineering, Vol 17, Iss 2, Pp 1872-1872 (2021)
The advancement in the integrated circuit design has developed the demand for low voltage portable analog devices in the market. This demand has increased the requirement of the low-power RF transceiver. A low-power phase lock loop (PLL) is always de
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/511a16fdab464b19a84deac191ae153a
Autor:
Joseph, Thomas
Scaling has been pivotal in the success of the Moore's law. Using scaling techniques to improve the MOSFET comes at a risk of growing short channel effects. This publication deals with the theoretical study of impact of gate length scaling on planar
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Christian Enz, Chun-Min Zhang, Giulio Borghello, Federico Faccio, Farzan Jazaeri, Andrea Baschirotto, Serena Mattiazzo
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 66:38-47
This paper characterizes and models the effects of total ionizing dose (TID) up to 1 Grad(SiO2) on the drain leakage current of ${n}$ MOSFETs fabricated with a commercial 28-nm bulk CMOS process. Experimental comparisons among individual ${n}$ MOSFET
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c723be753ec08317aa348ef092f09829
https://doi.org/10.1109/tns.2018.2878105
https://doi.org/10.1109/tns.2018.2878105
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Chun-Min Zhang, Giulio Borghello, Christian Enz, Andrea Baschirotto, Serena Mattiazzo, Farzan Jazaeri
Publikováno v:
2018 IEEE Nuclear Science Symposium and Medical Imaging Conference Proceedings (NSS/MIC).
This paper investigates the effects of total ionizing dose up to 1 Grad on 28-nm bulk MOSFETs under different bias conditions during irradiation. The aim is to assess the potential use of this commercial bulk CMOS technology in the future high-lumino
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::5eb83798a909b391b32516d09b963d68
https://doi.org/10.1109/nssmic.2018.8824379
https://doi.org/10.1109/nssmic.2018.8824379