Zobrazeno 1 - 10
of 487
pro vyhledávání: '"Bugge, F."'
Autor:
Bugge, F., Bege, R., Blume, G., Feise, D., Sumpf, B., Werner, N., Zeimer, U., Paschke, K., Weyers, M.
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 1 June 2018 491:31-35
Autor:
Zubkov, V. I., Melnik, M. A., Solomonov, A. V., Tsvelev, E. O., Bugge, F., Weyers, M., Traenkle, G.
The results of measurements and numerical simulation of charge carrier distribution and energy states in strained quantum wells In_xGa_{1-x}As/GaAs (0.06 < x < 0.29) by C-V-profiling are presented. Precise values of conduction band offsets for these
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0307107
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 2011 315(1):74-77
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 2009 311(4):1065-1069
Publikováno v:
In Optics and Laser Technology 2007 39(2):333-337
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 2007 298:652-657
Autor:
Bugge, F. *, Zorn, M., Zeimer, U., Sharma, T., Kissel, H., Hülsewede, R., Erbert, G., Weyers, M.
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 2003 248:354-358
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 2000 221(1):496-502
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 2000 210(1):307-312
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.