Zobrazeno 1 - 10 of 8 002 pro vyhledávání: '"Buffer Layers"'
1
Akademický článek
Low Hysteresis Vanadium Dioxide Integrated on Silicon Using Complementary Metal‐Oxide Semiconductor Compatible Oxide Buffer Layer.
Autor: Sahoo, Swayam Prakash1,2,3 (AUTHOR) swayam.prakash.sahoo@usherbrooke.ca, Bugnet, Matthieu4 (AUTHOR) matthieu.bugnet@insa-lyon.fr, Infante, Ingrid Cañero5 (AUTHOR), Pierron, Victor6 (AUTHOR), Méchin, Laurence6 (AUTHOR), Cervasio, Rebecca7 (AUTHOR), Hemme, Pierre7 (AUTHOR), Brubach, Jean‐Blaise7 (AUTHOR), Roy, Pascale7 (AUTHOR), Fréchette, Luc G.2,3 (AUTHOR), Lamirand, Anne D.1 (AUTHOR) anne.lamirand@ec-lyon.fr, Vilquin, Bertrand1 (AUTHOR) bertrand.vilquin@ec-lyon.fr
Publikováno v: Small Science. Oct2024, p1. 11p. 7 Illustrations.
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Evaporation Characteristics of Two Interacting Moving Droplets.
Autor: Ahmed, Muhammad1 (AUTHOR) muhammad.ahmed@cust.edu.pk, Irfan, Muhammad1 (AUTHOR) m.irfan@cust.edu.pk, Khan, Muhammad Mahabat1 (AUTHOR)
Publikováno v: Energies (19961073). Oct2024, Vol. 17 Issue 20, p5169. 26p.
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Improved Uniformity of Superconducting Properties in GdBCO Superconductor Bulk with a Buffer Layer.
Autor: ZHANG, Y.1, ZHANG, Y. F.1 2009000018@shiep.edu.cn, SHEN, S. Y.1, WANG, W. L.1, RUAN, G. J.1, LI, Y.1, ZHANG, J. Y.1, ZHANG, P. H.1, LOU, Z. W.1, PENG, L.1, ZHOU, D. F.2
Publikováno v: Acta Physica Polonica: A. Aug2024, Vol. 146 Issue 2, p195-207. 13p.
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Investigation of the Dislocation Behavior of 6- and 8-Inch AlGaN/GaN HEMT Structures with a Thin AlGaN Buffer Layer Grown on Si Substrates.
Autor: Yan, Yujie1 yanyujie@jfslab.com.cn, Huang, Jun1 huangjun@jfslab.com.cn, Pan, Lei1, Meng, Biao1, Wei, Qiangmin1, Yang, Bing1
Publikováno v: Inorganics. Aug2024, Vol. 12 Issue 8, p207. 9p.
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Influence of Carbon Source on the Buffer Layer for 4H-SiC Homoepitaxial Growth.
Autor: Yang, Shangyu1,2 (AUTHOR) yangsy@semi.ac.cn, Guo, Ning1,2 (AUTHOR) guoning@semi.ac.cn, Zhao, Siqi1,2 (AUTHOR) zhaosiqi@semi.ac.cn, Li, Yunkai1,2 (AUTHOR) liyunkai@semi.ac.cn, Wei, Moyu1,2 (AUTHOR) weimoyu@semi.ac.cn, Zhang, Yang1,2,3 (AUTHOR) zhang_yang@semi.ac.cn, Liu, Xingfang1,2,3 (AUTHOR) zhang_yang@semi.ac.cn
Publikováno v: Materials (1996-1944). Jun2024, Vol. 17 Issue 11, p2612. 13p.
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Effect of MoN on the structure and characteristics of MoN/ZrMoN bi-layer nitride films.
Autor: Hu, Ding-Chiang1 (AUTHOR), Kuo, Dong-Hau1 (AUTHOR), Tsao, Chung-Chen2 (AUTHOR), Ho, Jihng-Kuo3 (AUTHOR), Kuo, Chin-Guo4 (AUTHOR), Hsu, Chun-Yao2 (AUTHOR) cyhsu@mail.lhu.edu.tw
Publikováno v: Bulletin of Materials Science. Jun2024, Vol. 47 Issue 2, p1-10. 10p.
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
High-Voltage Cable Buffer Layer Ablation Fault Identification Based on Artificial Intelligence and Frequency Domain Impedance Spectroscopy.
Autor: Liu, Jiajun1 (AUTHOR) liujiajun-88@163.com, Ma, Mingchao1 (AUTHOR) mmc1131960521@163.com, Liu, Xin1 (AUTHOR), Xu, Haokun1 (AUTHOR)
Publikováno v: Sensors (14248220). May2024, Vol. 24 Issue 10, p3067. 20p.
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Catalytic Pyrolysis of Polypropylene for Cable Semiconductive Buffer Layers.
Autor: Meng, Xiaokai1 (AUTHOR) mengxiaokai870618@163.com, Yu, Hua1 (AUTHOR), Lu, Zhumao1 (AUTHOR), Jin, Tao1 (AUTHOR)
Publikováno v: Polymers (20734360). May2024, Vol. 16 Issue 10, p1435. 14p.
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Assessing the Performance of Solar Cells Based on MoS2: WS2 and WSe2 Buffer Layers Effects.
Autor: AOURAGH, A.1, SELLOUM, F.2, DJEFFAL, S.2, BOUARROUDJ, T.3, SHEKHAR, C.4, MAAMRI, S.5, ZAIDI, B.2 beddiaf.zaidi@univ-batna.dz
Publikováno v: Acta Physica Polonica: A. May2024, Vol. 145 Issue 5, p242-246. 5p.
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje