Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"Buech, Holger"'
Autor:
Buech, Holger, Rossi, Antonio, Forti, Stiven, Convertino, Domenica, Tozzini, Valentina, Coletti, Camilla
Publikováno v:
Buech, H., Rossi, A., Forti, S. et al. Nano Res. (2018) 11: 5946. https://doi.org/10.1007/s12274-018-2108-7
We report on the superlubric sliding of monolayer tungsten disulfide (WS2) on epitaxial graphene (EG) on silicon carbide (SiC). WS2 single-crystalline flakes with lateral size of hundreds of nanometers are obtained via chemical vapor deposition (CVD)
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1903.05533
Autor:
Forti, Stiven, Rossi, Antonio, Büch, Holger, Cavallucci, Tommaso, Bisio, Francesco, Sala, Alessandro, Menteş, Tevfik Onur, Locatelli, Andrea, Magnozzi, Michele, Canepa, Maurizio, Müller, Kathrin, Link, Stefan, Starke, Ulrich, Tozzini, Valentina, Coletti, Camilla
This work reports an electronic and micro-structural study of an appealing system for optoelectronics: tungsten disulphide WS$_2$ on epitaxial graphene (EG) on SiC(0001). The WS$_2$ is grown via chemical vapor deposition (CVD) onto the EG. Low-energy
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1709.05113
Autor:
Rossi, Antonio, Buech, Holger, Di Rienzo, Carmine, Miseikis, Vaidotas, Convertino, Domenica, Al-Temimy, Ameer, Voliani, Valerio, Gemmi, Mauro, Piazza, Vincenzo, Coletti, Camilla
Publikováno v:
2D Mater. 3 031013 (2016)
By exhibiting a measurable bandgap and exotic valley physics, atomically-thick tungsten disulfide (WS2) offers exciting prospects for optoelectronic applications. The synthesis of continuous WS2 films on other two-dimensional (2D) materials would gre
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1608.05239
Autor:
Hsueh, Yu-Ling, Büch, Holger, Tan, Yaohua, Wang, Yu, Hollenberg, Lloyd C. L., Klimeck, Gerhard, Simmons, Michelle Y., Rahman, Rajib
Publikováno v:
Phys. Rev. Lett. 113, 246406 (2014)
An atomistic method of calculating the spin-lattice relaxation times ($T_1$) is presented for donors in silicon nanostructures comprising of millions of atoms. The method takes into account the full band structure of silicon including the spin-orbit
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1501.04089
Autor:
Buech, Holger
In this thesis we present single-shot spin readout of precision placed phosphorus donors in silicon. The spin states of an electron bound to phosphorus donors in silicon make promising building blocks for the realisation of a solid state quantum comp
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::582255501bd3dab2b618506fd6d71b49
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.